时间：2025/8/13 10:02:51
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LESD9D12.0T5G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）生产的表面贴装（SMD）瞬态电压抑制器（TVS）二极管，专门用于保护电子电路免受静电放电（ESD）、浪涌电压和其他瞬态电压的损害。该器件具有低钳位电压和快速响应时间，适用于对敏感电子元件进行高可靠性的保护。LESD9D12.0T5G 采用SOD-923封装，适用于便携式设备和高密度PCB布局。
类型：TVS二极管
工作电压：12.0V
反向关态电压（VRWM）：12.0V
击穿电压（VBR）：最小13.3V，典型14.8V
最大钳位电压（VC）：23.2V（在Ipp = 1A时）
最大反向漏电流（IR）：1μA（最大）
响应时间（tRESP）：小于1ns
峰值脉冲电流（Ipp）：1A
封装形式：SOD-923
LESD9D12.0T5G 的主要特性之一是其优异的瞬态电压抑制能力，能够在极短时间内响应并吸收高能量的瞬态电压，从而保护下游电路。该器件的低钳位电压确保在瞬态事件期间将电压维持在一个安全水平，避免损坏敏感的集成电路。此外，LESD9D12.0T5G 采用SOD-923小型封装，非常适合空间受限的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。
其快速响应时间低于1纳秒，使其能够有效应对高速静电放电事件，符合IEC 61000-4-2标准的ESD保护等级。该器件的双向保护结构适用于正负极性瞬态电压的抑制，适用于差分信号线路和电源线路的保护。LESD9D12.0T5G 的高可靠性使其在工业、汽车和消费类电子产品中广泛应用。
LESD9D12.0T5G 通常用于需要高精度ESD保护的电路中，例如USB接口、HDMI端口、以太网控制器、射频天线、音频/视频输入输出端口等。在智能手机和平板电脑中，它常用于保护充电接口、耳机插孔和显示屏数据线。此外，该器件也适用于工业自动化设备、医疗仪器和汽车电子系统中的敏感电路保护，确保设备在恶劣环境下的稳定运行。
PESD12LV120, ESDA9D12.0AYN3
