时间：2025/7/7 8:28:17
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LESD8L5.0是一种瞬态电压抑制二极管（TVS），主要用于保护电子电路免受静电放电（ESD）、感应雷击和其它瞬态电压的损害。该器件具有低电容特性，适合高速数据线路保护，例如USB、HDMI和其他高速接口应用。
其设计基于硅雪崩二极管技术，能够快速响应并吸收高能量脉冲，同时保持较低的箝位电压以保护敏感的下游电子元件。
工作电压：5V
峰值脉冲功率：400W（10/1000μs）
反向 standoff 电压：5.8V
最大反向漏电流：1μA（在25°C时）
箝位电压：8.4V（典型值，@8/20μs，Ip=9.3A）
结电容：6pF（最大值）
响应时间：1ps（典型值）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：DO-214AC（SMA）
LESD8L5.0具备以下主要特性：
1. 快速响应时间，可有效抑制瞬态电压威胁。
2. 低电容设计使其非常适合用于高速信号线保护。
3. 高度可靠的硅雪崩二极管结构确保长期稳定性。
4. 箝位电压较低，能更好地保护下游电路不受过压损坏。
5. 具备双向保护功能，适用于差分信号线路。
6. 符合RoHS标准，环保无铅材料制造。
LESD8L5.0广泛应用于各种需要保护的电子设备中，包括但不限于以下场景：
1. USB 2.0/3.0端口保护。
2. HDMI、DisplayPort等高速视频接口保护。
3. 无线通信模块如Wi-Fi、蓝牙的数据线保护。
4. 汽车电子系统中的瞬态电压防护。
5. 工业自动化设备中的信号线路保护。
6. 移动设备及消费类电子产品中的ESD保护电路。
PESD5V0X1BAB, SMAJ5.0A, SMBJ5.0CA
