LESD8L5.0是一种瞬态电压抑制二极管(TVS),主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、感应雷击和其它瞬态电压的损害。该器件具有低电容特性,适合高速数据线路保护,例如USB、HDMI和其他高速接口应用。
其设计基于硅雪崩二极管技术,能够快速响应并吸收高能量脉冲,同时保持较低的箝位电压以保护敏感的下游电子元件。
工作电压:5V
峰值脉冲功率:400W(10/1000μs)
反向 standoff 电压:5.8V
最大反向漏电流:1μA(在25°C时)
箝位电压:8.4V(典型值,@8/20μs,Ip=9.3A)
结电容:6pF(最大值)
响应时间:1ps(典型值)
工作温度范围:-55°C至+150°C
封装形式:DO-214AC(SMA)
LESD8L5.0具备以下主要特性:
1. 快速响应时间,可有效抑制瞬态电压威胁。
2. 低电容设计使其非常适合用于高速信号线保护。
3. 高度可靠的硅雪崩二极管结构确保长期稳定性。
4. 箝位电压较低,能更好地保护下游电路不受过压损坏。
5. 具备双向保护功能,适用于差分信号线路。
6. 符合RoHS标准,环保无铅材料制造。
LESD8L5.0广泛应用于各种需要保护的电子设备中,包括但不限于以下场景:
1. USB 2.0/3.0端口保护。
2. HDMI、DisplayPort等高速视频接口保护。
3. 无线通信模块如Wi-Fi、蓝牙的数据线保护。
4. 汽车电子系统中的瞬态电压防护。
5. 工业自动化设备中的信号线路保护。
6. 移动设备及消费类电子产品中的ESD保护电路。
PESD5V0X1BAB, SMAJ5.0A, SMBJ5.0CA