类型：ESD 保护二极管阵列
　　最大反向工作电压：3.3V
　　击穿电压：最小 4.2V，典型 4.7V，最大 5.2V
　　峰值脉冲电流（8/20μs）：每线 8A
　　钳位电压（Ipp）：最大 10.5V
　　电容（在 1MHz 下）：最大 0.6pF（典型值 0.3pF）
　　响应时间：小于 1ns
　　封装：TDFN-8（3mm x 3mm）
　　引脚数：8
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　湿度等级：1（无限制）
　　安装类型：表面贴装（SMD）

LESD8D3.3CBT5G 是一款高性能的 ESD 保护器件，具有多项显著的技术特性。首先，其采用了先进的硅雪崩技术，能够在极短的时间内将静电放电电流引导到地，从而有效保护后级电路。其响应时间小于 1ns，能够快速响应瞬态电压事件，防止高能量静电对敏感电路造成损坏。其次，该器件的最大反向工作电压为 3.3V，适用于现代低电压电子系统的信号线路保护，确保在正常工作电压下不会对信号完整性造成影响。
　　LESD8D3.3CBT5G 的每个通道具有低电容特性（典型值为 0.3pF），这对于高速数据传输接口（如 USB 3.0、HDMI、以太网等）尤为重要，因为低电容可以最大限度地减少信号衰减和失真，从而保持信号的完整性。此外，该器件具有较低的钳位电压（最大 10.5V），这意味着在 ESD 事件发生时，它能够将电压钳制在一个较低的水平，从而减少对被保护电路的冲击。
　　该器件采用 TDFN-8 封装，体积小巧，适合用于空间受限的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。同时，其封装设计具有良好的热稳定性和机械强度，适用于自动化装配工艺。LESD8D3.3CBT5G 还具有高可靠性，在 -55°C 至 +150°C 的宽温度范围内都能稳定工作，适用于各种恶劣的工作环境。
　　此外，LESD8D3.3CBT5G 是无卤素和符合 RoHS 指令的产品，符合现代电子产品对环保和可持续发展的要求。其设计旨在满足 IEC 61000-4-2 Level 4（±8kV 接触放电和 ±15kV 空气放电）的 ESD 保护标准，适用于工业、消费类和通信设备中的多种应用。

LESD8D3.3CBT5G 主要用于需要对多路信号线进行 ESD 保护的电子系统中。它广泛应用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备，用于保护 USB、HDMI、DisplayPort、以太网等高速数据接口免受静电放电的损害。由于其低电容和快速响应特性，它也非常适合用于保护高精度模拟电路、射频前端模块和传感器接口。
　　在工业控制和通信设备中，LESD8D3.3CBT5G 可用于保护 RS-485、CAN 总线、GPIO、I2C 和 SPI 等通信线路，防止因静电或瞬态电压引起的通信中断或设备损坏。此外，该器件还可用于汽车电子系统，如车载娱乐系统、仪表盘控制模块和远程信息处理系统，提供可靠的 ESD 保护，确保车辆电子系统的稳定运行。
　　LESD8D3.3CBT5G 也适用于医疗电子设备，例如便携式诊断仪器、监护仪和病人监测设备，确保这些高精度设备在复杂电磁环境中能够稳定工作，不会因静电放电而产生误操作或损坏关键组件。

LESD8D3.3CBTR4G, PESD8V33VL1BA, ESDA8V33C-1-F