时间：2025/8/13 4:01:19
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LESD8D3.3CBT5G IC是一种低电容双向硅瞬态电压抑制二极管（TVS），用于保护敏感电子设备免受静电放电（ESD）、浪涌电压和其他瞬态电压的损害。该器件具有低钳位电压、快速响应时间和高可靠性，适用于各种电子系统的接口保护。
类型：瞬态电压抑制二极管（TVS）
工作电压：3.3V
最大反向工作电压（VRWM）：3.3V
击穿电压（VBR）：4.0V（最小）
钳位电压（VC）：12.8V（最大）
峰值脉冲电流（IPP）：10A
最大反向电容（Cj）：4.5pF
封装类型：SOT-23
通道数：2（双向）
LESD8D3.3CBT5G IC具有低电容特性，适用于高速数据线路保护，如USB、HDMI和以太网接口。其双向结构允许在单个封装中提供正负瞬态保护，确保信号完整性不受影响。该器件采用SOT-23封装，便于表面贴装，节省PCB空间。此外，该TVS二极管符合IEC 61000-4-2标准，能够承受高达±30kV的静电放电冲击，具有优异的抗静电能力。其快速响应时间小于1ns，可以有效抑制瞬态电压，保护下游电路不受损坏。
该IC广泛应用于便携式电子设备、通信设备、计算机及其外围设备、工业控制系统以及消费类电子产品中，用于保护敏感电路免受静电放电和瞬态电压的影响。
LESD8D3.3BST, PESD3V3S2BT2G, SMAJ3.3CA
