LESD8D12T5G 时间：2025/5/23 12:42:34 阅读：5

LESD8D12T5G 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效功率晶体管，适用于高频开关电源、DC-DC转换器和无线充电等应用。该器件采用DFN8封装形式，具备低导通电阻和快速开关速度的特点，从而提高了整体效率并减小了系统尺寸。
　　这款晶体管专为高频率操作而设计，能够在高频条件下保持较低的开关损耗，同时其出色的热性能确保了在严苛环境下的稳定运行。

参数

最大漏源电压：100V
　　连续漏极电流：4A
　　导通电阻：7mΩ
　　栅极电荷：30nC
　　反向恢复时间：20ns
　　工作结温范围：-55℃ to 150℃
　　封装形式：DFN8

特性

LESD8D12T5G 具有以下显著特点：
　　1. 超低导通电阻（Rds(on)），降低了传导损耗，提升了效率。
　　2. 高速开关能力使得它适合高频应用，减少磁性元件体积。
　　3. 内置ESD保护电路以增强可靠性。
　　4. 小型化的 DFN8 封装节省 PCB 空间，便于紧凑型设计。
　　5. 支持高温操作，适应更广泛的工作条件。
　　6. 符合 RoHS 标准，环保无铅材料。

应用

LESD8D12T5G 广泛应用于以下领域：
　　1. 消费电子中的适配器和充电器，特别是快充产品。
　　2. 工业用 DC-DC 转换器，如通信基站或服务器电源模块。
　　3. 高效 AC-DC 开关电源设计。
　　4. 无线充电发射端和接收端功率级管理。
　　5. LED 驱动器中需要高性能功率开关的应用。
　　6. 可再生能源系统中的微型逆变器和其他电力转换设备。