LESD6V8T1G 时间：2025/8/14 1:41:24 阅读：43

LESD6V8T1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的单向瞬态电压抑制二极管（TVS），用于保护敏感的电子电路免受静电放电（ESD）、浪涌电压和瞬态电压的损害。该器件具有快速响应时间和高浪涌吸收能力，适用于各种通信接口和电子设备中的电路保护。LESD6V8T1G 采用 SOD-523 小型封装，适合在空间受限的电路设计中使用。

参数

类型：单向 TVS 二极管
　　工作电压：6.8 V
　　反向关态电压（VRWM）：6.8 V
　　击穿电压（VBR）：最小 7.56 V，最大 9.4 V
　　钳位电压（VC）：最大 13.6 V（在 1.75 A 浪涌电流下）
　　峰值脉冲电流（IPP）：1.75 A（8/20 μs 波形）
　　最大反向漏电流（IR）：10 μA（最大）
　　封装形式：SOD-523
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

特性

LESD6V8T1G 具备优异的瞬态电压抑制性能，能够在极短的时间内将电压钳制在安全范围内，防止损坏后端电路。其单向结构设计使得在正向浪涌事件中也能有效工作。该器件符合 IEC 61000-4-2 Level 4 标准，适用于高要求的 ESD 保护应用。
　　LESD6V8T1G 的低电容特性使其适用于高速数据线路的保护，不会影响信号完整性。此外，其小型 SOD-523 封装不仅节省空间，还便于自动化装配和 PCB 布局。该器件具有高可靠性，适用于各种恶劣环境下的长期稳定运行。
　　在制造工艺方面，LESD6V8T1G 采用先进的硅雪崩技术，确保其在高能瞬态事件中仍能保持稳定的钳位性能。其内部结构优化设计，减少了寄生电感和电阻，从而提升了整体的保护效率。

应用

LESD6V8T1G 主要用于以下领域的电路保护：USB 接口、HDMI 接口、RS-485 通信线路、以太网端口、消费类电子产品、工业控制系统、汽车电子模块和便携式设备等。其低电容特性使其特别适用于保护高速数据传输线路，防止因 ESD 或其他瞬态干扰导致的数据错误或硬件损坏。
　　在汽车电子应用中，LESD6V8T1G 可用于保护车载信息娱乐系统（IVI）、车载网络接口（CAN、LIN）以及传感器接口等关键部位。在工业自动化领域，该器件可用于保护 PLC、HMI 和工业通信模块等设备，确保其在严苛电磁环境中的稳定运行。