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LESD6V8T1G 发布时间 时间:2025/8/14 1:41:24 查看 阅读:29

LESD6V8T1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的单向瞬态电压抑制二极管(TVS),用于保护敏感的电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌电压和瞬态电压的损害。该器件具有快速响应时间和高浪涌吸收能力,适用于各种通信接口和电子设备中的电路保护。LESD6V8T1G 采用 SOD-523 小型封装,适合在空间受限的电路设计中使用。

参数

类型:单向 TVS 二极管
  工作电压:6.8 V
  反向关态电压(VRWM):6.8 V
  击穿电压(VBR):最小 7.56 V,最大 9.4 V
  钳位电压(VC):最大 13.6 V(在 1.75 A 浪涌电流下)
  峰值脉冲电流(IPP):1.75 A(8/20 μs 波形)
  最大反向漏电流(IR):10 μA(最大)
  封装形式:SOD-523
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

LESD6V8T1G 具备优异的瞬态电压抑制性能,能够在极短的时间内将电压钳制在安全范围内,防止损坏后端电路。其单向结构设计使得在正向浪涌事件中也能有效工作。该器件符合 IEC 61000-4-2 Level 4 标准,适用于高要求的 ESD 保护应用。
  LESD6V8T1G 的低电容特性使其适用于高速数据线路的保护,不会影响信号完整性。此外,其小型 SOD-523 封装不仅节省空间,还便于自动化装配和 PCB 布局。该器件具有高可靠性,适用于各种恶劣环境下的长期稳定运行。
  在制造工艺方面,LESD6V8T1G 采用先进的硅雪崩技术,确保其在高能瞬态事件中仍能保持稳定的钳位性能。其内部结构优化设计,减少了寄生电感和电阻,从而提升了整体的保护效率。

应用

LESD6V8T1G 主要用于以下领域的电路保护:USB 接口、HDMI 接口、RS-485 通信线路、以太网端口、消费类电子产品、工业控制系统、汽车电子模块和便携式设备等。其低电容特性使其特别适用于保护高速数据传输线路,防止因 ESD 或其他瞬态干扰导致的数据错误或硬件损坏。
  在汽车电子应用中,LESD6V8T1G 可用于保护车载信息娱乐系统(IVI)、车载网络接口(CAN、LIN)以及传感器接口等关键部位。在工业自动化领域,该器件可用于保护 PLC、HMI 和工业通信模块等设备,确保其在严苛电磁环境中的稳定运行。

替代型号

PESD5V0S1BA; SMBJ6.8A; 1.5KE6.8A; ESD5D6.8AV; ESDA6V8T1

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