类型：ESD 保护二极管
　　极性：单向
　　工作电压：5.3 V
　　反向关态电压：5.3 V
　　钳位电压：最大 14.4 V（在 Ipp = 1 A 时）
　　峰值脉冲电流（Ipp）：1 A
　　漏电流：最大 10 nA
　　电容（在 0 V 时）：最大 8 pF
　　封装：SOD-523

LESD5V3LT1G 具有以下显著特性：
　　首先，它具备低电容特性（最大 8 pF），这对于高速信号线路的保护尤为重要，因为它可以最大程度地减少对信号完整性的干扰。这使得该器件非常适合用于 USB、HDMI、以太网等高速接口的 ESD 保护。
　　其次，该器件具有快速响应时间，能够在静电放电事件发生时迅速导通，将高电压脉冲引导至地，从而保护下游电路不受损坏。其钳位电压在 1 A 峰值电流下最大为 14.4 V，能够在短时间内有效地吸收高能量 ESD 脉冲。
　　此外，LESD5V3LT1G 采用 SOD-523 小型封装，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用。该封装还提供了良好的热稳定性和机械强度，确保器件在各种环境条件下的可靠性。
　　其低漏电流（最大 10 nA）特性确保了在正常工作条件下不会对电路造成额外的负载，从而提高了系统的能效。同时，该器件具有良好的耐用性，能够承受多次 ESD 事件而不影响其性能。
　　最后，LESD5V3LT1G 是一种成本效益高的 ESD 保护解决方案，广泛应用于消费类电子产品、工业设备和通信设备中。

LESD5V3LT1G 主要用于需要 ESD 保护的电子设备中，尤其是在高速数据通信接口上。典型应用包括 USB 2.0 和 USB 3.0 接口、HDMI 接口、以太网接口、RS-485 和 CAN 总线等通信接口的保护。此外，它也适用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、数码相机等便携式电子设备中的敏感电路保护。在工业控制系统中，LESD5V3LT1G 可用于保护 PLC（可编程逻辑控制器）、传感器和执行器接口免受静电放电的损害。由于其低电容特性，该器件也非常适合用于 RF（射频）和高速模拟信号路径的保护。

PESD5V0L2BT, ESD5552B, SMBJ5.0A