工作电压：5.0V
　　最大反向工作电压（VRWM）：5.0V
　　击穿电压（VBR）：最小5.56V，典型6.2V，最大7.2V
　　最大箝位电压（VC）：13.3V（在IEC 61000-4-2 Level 4测试条件下）
　　峰值脉冲电流（IPP）：16A（8/20μs波形）
　　漏电流（IR）：最大100nA
　　响应时间：小于1ns
　　封装类型：SOD-882
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

LESD5.0N3T5G具有多项优良特性，使其在各类电子设备中广泛应用。首先，其低击穿电压和箝位电压能够在瞬态事件中迅速导通，将电压限制在安全范围内，从而有效保护下游电路免受损害。其次，该器件的响应时间极短，通常小于1纳秒，能够快速响应ESD和浪涌事件，提供即时保护。此外，LESD5.0N3T5G的漏电流极低（最大100nA），在正常工作条件下对系统功耗影响极小。其SOD-882封装尺寸小巧，便于在紧凑型设计中使用，同时支持自动贴片工艺，提高了生产效率。该器件还符合RoHS和REACH环保标准，适用于各种环保要求较高的电子产品。

LESD5.0N3T5G广泛应用于需要ESD和瞬态电压保护的各类电子设备中。常见的应用场景包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备等便携式电子产品中的数据线和电源线保护；计算机及其外设接口（如USB、HDMI）的瞬态保护；工业控制系统中的信号线路保护；通信设备中的高速数据线和天线接口保护；以及汽车电子系统中的车载信息娱乐系统（IVI）和高级驾驶辅助系统（ADAS）的接口保护。由于其高性能和小型化设计，LESD5.0N3T5G也适用于医疗设备、测试仪器和消费类电子产品。

LESD5V0N3T5G, PESD5V0N3T5G, ESD5532P