时间：2025/8/13 9:42:05
阅读：8
LESD11LS5.0CT5G是一款由ON Semiconductor生产的低电容ESD（静电放电）保护二极管阵列，专为高速数据线路的瞬态电压抑制而设计。该器件内部集成了多个双向或单向保护二极管，能够在极短的时间内将高能量的静电脉冲导通至地，从而保护敏感的电子元件不受损坏。LESD11LS5.0CT5G广泛应用于USB、HDMI、以太网、DisplayPort等高速通信接口中，确保数据传输的稳定性和系统的可靠性。
类型：ESD保护二极管阵列
工作电压：5.0V
反向击穿电压（VBR）：最小5.5V，典型6.1V
钳位电压（VC）：最大14.8V（在Ipp=3.6A条件下）
峰值脉冲电流（Ipp）：3.6A（8/20μs波形）
漏电流（IR）：最大100nA（在VR=5V时）
电容（Cj）：典型值为0.25pF（在Vr=0V，f=1MHz条件下）
工作温度范围：-55℃至+150℃
封装形式：SOT-23-5
LESD11LS5.0CT5G具有极低的结电容（仅0.25pF），这一特性使其非常适合用于高速信号线路的保护，因为低电容不会影响信号的完整性或导致高频衰减。该器件采用双向保护结构，适用于交流和直流信号线路的双向保护，具有良好的对称性和响应速度。其响应时间极短，在纳秒级别，能够迅速将高能量的ESD脉冲导通至地，防止其对下游电路造成损害。LESD11LS5.0CT5G的钳位电压较低，在高能量冲击下仍能保持较低的电压水平，从而降低对受保护电路的压力。该器件的漏电流非常低（最大100nA），确保在正常工作条件下不会引入额外的功耗或干扰。封装采用SOT-23-5，体积小巧，便于在空间受限的PCB设计中使用。此外，该器件符合IEC 61000-4-2 Level 4标准（接触放电±8kV，空气放电±15kV），具备优异的抗静电能力。
LESD11LS5.0CT5G主要应用于需要高速信号传输并要求静电保护的电子设备中。典型应用包括USB 2.0、USB 3.0、HDMI、DisplayPort、以太网接口、笔记本电脑、平板电脑、智能手机、数码相机、视频监控设备等。它也常用于工业自动化设备、测试仪器和通信模块中，以提高系统的抗干扰能力和可靠性。在汽车电子系统中，如车载信息娱乐系统（IVI）和车载摄像头接口，LESD11LS5.0CT5G也能提供有效的ESD保护。
LESD11LW5.0CT5G, ESD11L5.0B1B
