晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：1.0 A
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗（Pd）：1.0 W
　　直流电流增益（hFE）：50 至 800（根据等级不同）
　　过渡频率（fT）：100 MHz
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SMB

LEDZ30BT1G 的主要特性之一是其高电流放大能力，hFE（直流电流增益）范围从50到800，依据不同的等级划分，能够满足不同电路设计对增益的需求。该晶体管的最大集电极电流为1.0A，使其能够胜任需要一定功率处理能力的应用。同时，该器件的集电极-发射极击穿电压为30V，具备良好的耐压能力，适合在中低功率电路中使用。
　　该晶体管的封装形式为SMB，是一种小型化的表面贴装封装，有助于提高PCB的布板密度，同时具备良好的散热性能。此外，LEDZ30BT1G 的最大功耗为1.0W，能够在相对较高的功耗条件下稳定运行。
　　该晶体管的频率响应能力较高，过渡频率（fT）达到100MHz，适用于中低频的放大和开关应用。此外，LEDZ30BT1G 的工作温度范围为-55°C至+150°C，具备良好的热稳定性和宽温度适应能力，适合用于工业级环境和车载电子系统。
　　LEDZ30BT1G 还具备较低的饱和压降（Vce_sat），有助于降低导通损耗，提高能效。这使其在电源管理、电机控制和LED驱动等应用中表现出色。

LEDZ30BT1G 广泛应用于各种电子设备中，特别是在需要中低功率放大的场合。例如，它常用于音频放大器的前置级或驱动级，以提供足够的信号增益。此外，该晶体管也适用于数字开关电路，如继电器驱动、LED显示驱动以及小型电机控制电路。
　　在电源管理领域，LEDZ30BT1G 可用于构建稳压电路或作为线性稳压器的调整管，适用于电池供电设备的电源调节。由于其具备较高的电流承载能力，该晶体管也常用于DC-DC转换器和开关电源中的控制电路。
　　在工业自动化和控制系统中，LEDZ30BT1G 可用作传感器信号放大、继电器控制和执行机构的驱动元件。此外，该晶体管还适用于消费类电子产品，如电视、音响设备和智能家电的内部电路设计。

2N3904, 2N2222, BC547, MMBT3904