类型：齐纳二极管
　　齐纳电压：3.0V
　　最大齐纳电流：200mA
　　功率耗散：300mW
　　封装类型：SOD-123
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ 150°C
　　最大反向漏电流（VR）：100nA（典型值）
　　动态电阻（Zzt）：15Ω（典型值）

LEDZ3.0BT1G 具有良好的稳定性和较低的动态电阻，使其在稳压电路中表现出色。该器件的齐纳电压温度系数为正，意味着其电压随温度升高略有增加，但整体稳定性仍能满足大多数应用需求。此外，该齐纳二极管采用无铅封装，符合 RoHS 环保标准，适用于自动化贴片生产工艺。
　　该器件的低功耗和小型封装使其非常适合用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。在电路设计中，LEDZ3.0BT1G 可用于提供基准电压、过压保护、电平转换以及作为参考源使用。其SOD-123封装有助于节省PCB空间，并提高整体系统的集成度。
　　在电气特性方面，LEDZ3.0BT1G 的最大齐纳电流为200mA，确保在不同负载条件下仍能保持稳定输出。其最大反向漏电流极低，在常温下仅为100nA左右，有助于减少静态功耗。此外，该器件的响应速度快，适合用于瞬态电压抑制场合。

LEDZ3.0BT1G 主要用于电源管理电路、电压参考源、模拟电路中的稳压、微控制器系统中的电平转换以及便携式电子设备中的低功耗稳压应用。该器件也可用于过压保护电路、ADC参考电压源、传感器信号调理电路以及各种需要3V基准电压的场合。此外，它还可用于LED驱动电路、电池充电管理以及DC-DC转换器中的反馈控制。

PZU3.0B1A（Infineon）、ZMM3.0（NXP）、MM3Z3V0（ON Semiconductor）