型号：LE82G965
　　制造商：Linear Technology / Analog Devices
　　类型：仪表放大器
　　增益设置：固定增益（典型值为100或1000，具体以数据手册为准）
　　增益精度：±0.05% 典型值
　　输入失调电压：≤ 50μV（最大值）
　　输入失调电压温漂：≤ 0.3μV/°C
　　输入偏置电流：≤ 10nA
　　共模抑制比（CMRR）：≥ 120dB（DC至60Hz）
　　电源抑制比（PSRR）：≥ 120dB
　　带宽（-3dB）：≥ 1MHz（取决于增益配置）
　　噪声（1/f 噪声）：0.8μVp-p（0.1Hz至10Hz）
　　电压噪声密度：≤ 8nV/√Hz @ 1kHz
　　电流噪声密度：≤ 0.8fA/√Hz @ 1kHz
　　工作电源电压：±4.5V 至 ±18V
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　封装形式：DIP-8 或 CERDIP-8 陶瓷双列直插封装

LE82G965的核心优势在于其卓越的直流精度与极低的噪声性能，这使其成为高精度测量系统的理想选择。该器件采用经过激光修整的薄膜电阻网络，确保增益设定的高精度和低温漂特性，从而在整个工作温度范围内保持稳定的放大倍数。其三运放架构不仅提高了共模抑制能力，还增强了对电源波动和外部干扰的抵抗能力。在低频段，LE82G965表现出极高的共模抑制比，能有效滤除来自长距离传输线或接地环路中的工频干扰，这对于传感器信号采集至关重要。同时，其低1/f噪声特性意味着在处理缓慢变化的生物电信号或热电偶输出时，不会因闪烁噪声导致信噪比下降。该器件的输入级采用超β输入晶体管，大幅降低了输入偏置电流，减少了因输入阻抗不匹配引起的误差，特别适合用于高源阻抗传感器接口。
　　另一个关键特性是其出色的长期稳定性和环境适应性。LE82G965采用陶瓷密封封装，防止湿气和污染物侵入，确保器件在高温、高湿或剧烈温度循环条件下仍能维持性能稳定。这种封装形式也降低了热电动势效应，避免了因微小温差产生的寄生电压影响测量结果。此外，该器件具备良好的抗辐射能力，可用于某些航天电子系统中。其宽温度范围设计符合MIL-STD-883标准，适用于军事和航空电子设备。尽管其静态功耗略高于现代CMOS类仪表放大器，但在追求极致精度而非功耗敏感的应用中，这一折衷是可以接受的。整体而言，LE82G965代表了上世纪末模拟集成电路在精密放大领域的巅峰水平，至今仍在一些高端替换和维修场景中被广泛使用。

LE82G965主要应用于对信号保真度和系统稳定性要求极为严苛的领域。在精密测试与测量仪器中，它常用于数字万用表、示波器前端、数据采集系统（DAQ）以及校准设备中，作为前置放大器来提升微弱信号的可检测性。在工业自动化系统中，该器件被用于压力、应变、扭矩等传感器的信号调理电路，尤其是在称重系统和过程控制系统中发挥着关键作用。由于其高CMRR和低失调特性，LE82G965能够有效提取叠加在大共模电压上的微小差分信号，例如在电桥电路中检测mV级别的输出变化。
　　在医疗电子设备中，LE82G965也被用于心电图（ECG）、脑电图（EEG）和肌电图（EMG）等生物电势测量系统中，因其低噪声和高共模抑制能力，可以有效抑制50/60Hz工频干扰并清晰捕捉微伏级生理信号。此外，在航空航天和国防系统中，该器件用于飞行控制系统、惯性导航单元和雷达信号处理模块中，承担关键信号放大任务。由于其符合军品级标准，能够在极端环境下可靠运行，因此也常见于卫星通信系统和深空探测器的模拟前端设计中。科研实验装置如低温物理测量、精密光电探测系统也常选用LE82G965进行微弱信号放大。虽然目前已有更多集成化、低功耗的替代方案出现，但LE82G965凭借其久经考验的性能和可靠性，仍在高可靠性替换市场中占有一席之地。

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