型号：LE82BWLG
　　制造商：Rohm Semiconductor
　　器件类型：CMOS逻辑门
　　逻辑功能：双路施密特触发反相器
　　电源电压范围：1.65V 至 5.5V
　　静态电流：典型值0.1μA
　　输出驱动能力：±3mA @ VDD=5V
　　传播延迟时间：典型值8ns @ VDD=5V
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C
　　封装类型：SSOP-8
　　引脚数量：8
　　ESD保护：HBM 2000V以上
　　湿敏等级（MSL）：1级（260°C回流）

LE82BWLG内置双通道施密特触发反相器结构，具备优异的噪声抑制能力和信号整形功能。其输入端设计有迟滞电压特性，能够有效滤除高频噪声和慢变信号中的抖动，确保在输入信号存在波动或干扰时仍能产生干净、稳定的输出方波。这一特性特别适用于传感器接口、按键去抖、脉冲信号调理等场合。施密特触发机制使得高低阈值电压之间存在一定间隔，避免了因输入信号微小波动而导致输出频繁翻转的问题，从而显著提升了系统的可靠性。
　　该芯片采用CMOS工艺制造，具备极低的静态功耗，在待机或空闲状态下几乎不消耗电流，非常适用于需要长时间运行或依靠电池供电的应用场景，如物联网终端、无线传感节点、便携式医疗设备等。同时，宽电压工作范围（1.65V–5.5V）使其可以兼容多种电源系统，包括3.3V、5V甚至低至1.8V的嵌入式系统，增强了其在不同平台间的通用性。
　　LE82BWLG还具备较强的输出驱动能力，在5V供电下可提供±3mA的负载驱动电流，足以直接驱动LED、小功率继电器或后续逻辑级联电路。其传播延迟时间短，典型值仅为8ns，保证了高速信号处理时的响应速度与时序准确性。此外，器件符合RoHS环保标准，无铅且不含卤素，适合绿色环保产品设计。整个芯片经过严格的可靠性测试，可在-40°C至+125°C的宽温范围内稳定工作，适应严苛的工业环境。封装采用SSOP-8小型化设计，不仅节省PCB面积，也便于自动化贴片生产，有利于提高量产效率和降低成本。

LE82BWLG广泛应用于需要信号整形与电平转换的数字电路系统中。典型用途包括微控制器单元（MCU）输入信号调理，例如将来自机械开关或按钮的不稳定信号转换为清晰的数字电平，实现硬件级去抖功能；也可用于传感器输出信号的预处理，尤其适用于输出缓慢上升/下降沿的模拟传感器，通过施密特触发反相器将其转化为陡峭的数字脉冲，便于后续计数或中断检测。
　　在通信接口电路中，LE82BWLG可用于TTL与CMOS电平之间的双向转换，保障不同电压域之间的信号兼容性。此外，它还可作为振荡器电路的核心元件之一，配合RC网络构成多谐振荡器，用于生成固定频率的时钟信号，适用于低成本定时控制应用。
　　在工业控制领域，该芯片可用于PLC模块、远程I/O单元中的状态监测电路，提升系统抗干扰能力。消费类电子产品如智能家居设备、遥控器、便携式仪表等也常采用LE82BWLG来优化用户交互体验。由于其低功耗特性，该器件在电池供电的无线传感器网络节点、可穿戴设备中同样表现出色，有助于延长设备续航时间。总之，LE82BWLG凭借其高可靠性、低功耗和灵活的接口能力，成为现代电子设计中不可或缺的基础元件之一。

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