时间：2025/9/20 15:27:55
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LE28FW8203T70T-MPB-E 是一款由Leadland（力晶）公司推出的NOR型闪存存储器芯片，广泛应用于需要可靠、高速代码存储和执行的嵌入式系统中。该器件采用先进的浮栅技术制造，具备高可靠性、低功耗以及良好的数据保持能力。其封装形式为TSOP-48，适合在空间受限的应用场景中使用。LE28FW8203T70T-MPB-E 支持多种工作模式，包括读取、编程、擦除以及低功耗待机模式，能够满足不同应用场景下的性能与能效需求。该芯片通常用于工业控制设备、网络通信模块、汽车电子系统、消费类电子产品等对稳定性和耐久性要求较高的领域。
该型号中的‘LE’代表Leadland品牌，‘28F’系列为并行接口NOR Flash产品线，‘W8203’表示具体容量与功能配置，‘T70T’指明了工作温度范围与封装类型，而‘MPB-E’则可能代表特定的版本或批次标识。芯片支持标准的JEDEC接口协议，便于与主流微控制器或处理器进行无缝对接。此外，该器件内置错误检测与纠正机制（ECC），提升了数据读写的可靠性，并具备写保护功能以防止误操作导致的数据损坏。整体设计兼顾高性能与稳定性，适用于长期运行且不易维护的系统环境。
型号：LE28FW8203T70T-MPB-E
制造商：Leadland Technology (力晶)
存储类型：NOR Flash
组织结构：16位数据总线
容量：16Mb (2MB)
工艺技术：Floating Gate Flash
工作电压：2.7V ~ 3.6V
访问时间：70ns
封装类型：TSOP-48
引脚数：48
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
擦除耐久性：100,000 次
数据保持时间：超过 20 年
接口类型：并行异步接口
编程电压：内部电荷泵生成
写保护功能：支持硬件写保护
总线宽度：x16
JEDEC 标准兼容：是
该芯片采用高性能的NOR闪存架构，具备快速随机读取能力，典型访问时间仅为70ns，能够在无需将代码复制到RAM的情况下直接从闪存中执行程序（XIP, eXecute In Place），显著提升系统启动速度和运行效率。其16位并行接口设计允许高带宽数据传输，适用于实时性要求较高的嵌入式应用。器件内部集成了智能算法控制逻辑，支持块擦除和字节/字编程操作，用户可灵活管理存储区域。每个扇区均可独立进行擦写操作，最小擦除单元通常为64KB主块或更小的子块，有助于实现精细的数据更新策略。
在可靠性方面，LE28FW8203T70T-MPB-E 具备强大的抗干扰能力和长期数据保持性能，在-40°C至+85°C的工业级温度范围内稳定工作，适合严苛环境下的部署。芯片内置电源复位监控电路，确保在上电/掉电过程中不会发生意外写入行为。同时支持低功耗待机模式，典型待机电流低于10μA，有助于延长电池供电系统的续航时间。此外，该器件通过了多项国际质量认证，符合RoHS环保标准，适用于全球市场的电子产品设计。
为了增强系统安全性，该芯片提供软件和硬件双重写保护机制，防止关键固件被非法篡改或意外覆盖。支持SEI/CEI命令集，兼容主流编程器和烧录设备，方便批量生产和现场升级。整体架构经过优化，具有出色的抗辐射和静电防护能力，进一步提升了在复杂电磁环境中的稳定性。
该芯片广泛应用于各类需要可靠非易失性存储的嵌入式系统中。在工业自动化领域，常用于PLC控制器、HMI人机界面、远程IO模块等设备中存储固件和配置参数；在网络通信设备中，如路由器、交换机、光模块等，用于存放引导程序（Bootloader）和操作系统映像；在汽车电子系统中，可用于仪表盘控制单元、ADAS辅助驾驶模块、车载信息娱乐系统等，满足车规级可靠性和温度适应性的要求；在消费类电子产品中，例如智能家电、POS终端、安防监控设备等，也常作为主控MCU的外挂存储器使用。
此外，由于其支持XIP特性，特别适合用于实时操作系统（RTOS）或裸机系统中直接运行应用程序代码，减少对外部RAM的依赖，降低系统成本。在需要频繁固件升级的场景下，其高耐久性的擦写寿命（可达10万次）保证了长期使用的可行性。同时，其小型化TSOP封装有利于节省PCB布局空间，适用于紧凑型设计的产品。结合其良好的供应链保障和性价比优势，LE28FW8203T70T-MPB-E 成为众多中端嵌入式项目中的优选存储解决方案。
S29GL016D70TF104
MT28EW016ADA-0-SIT
IS25LP128D-JBLE
