型号：LE25CB1282M-V-TLM-E
　　容量：128Mbit（16MB）
　　接口类型：SPI, QPI
　　工作电压：2.7V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：SOP8-150mil / WSON8
　　时钟频率：最高支持104MHz（Fast Read）
　　编程/擦除耐久性：100,000次
　　数据保持时间：10年
　　支持的操作模式：Standard SPI, Dual SPI, Quad SPI, QPI
　　是否支持SFDP：是
　　是否支持Write Protect：是
　　是否支持Deep Power-down Mode：是

LE25CB1282M-V-TLM-E具备卓越的读写性能与稳定性，支持多种SPI通信模式，包括标准SPI、Dual SPI、Quad SPI以及QPI（Quad Peripheral Interface）模式，在QPI模式下可显著提升数据传输速率，适用于对启动时间和运行效率有严格要求的系统，例如基于XIP（Execute In Place）架构的微控制器直接从Flash执行代码的应用场景。该芯片内部组织为均匀扇区结构，支持按页编程（256字节/页）和多种擦除粒度（包括4KB扇区擦除、32KB块擦除、64KB块擦除及整片擦除），灵活适应不同级别的数据管理需求。器件集成了状态寄存器，用户可通过读取状态寄存器获取忙状态、写使能锁存、块保护设置等信息，实现精确的控制流程。此外，它支持软件和硬件双重写保护机制，其中通过WP#引脚可实现硬件写保护，有效防止上电/掉电过程中的误操作；同时支持顶部或底部扇区保护配置，确保引导代码区域的安全性。该芯片还具备节能特性，提供多种低功耗模式，包括待机模式和深度掉电模式（Deep Power-down Mode），在深度掉电模式下电流消耗可低至1μA以下，非常适合便携式或电池供电设备。所有操作均通过标准化指令集完成，兼容主流MCU和SoC平台的SPI控制器驱动，降低了开发难度和移植成本。
　　LE25CB1282M-V-TLM-E采用符合RoHS标准的环保材料制造，具有良好的抗干扰能力和温度稳定性，可在工业级温度范围（-40°C至+85°C）内稳定工作，确保在恶劣环境下的长期可靠性。其内置的高可靠性浮栅存储单元技术保证了高达10万次的编程/擦除周期和长达10年的数据保持能力，适用于需要频繁更新固件或记录日志的系统。此外，该器件支持JEDEC SFDP规范，主控可通过读取SFDP表自动获取其容量、功能支持和时序参数，无需硬编码配置，提高了系统兼容性和可维护性。整体设计兼顾高性能、低功耗与高可靠性，使其成为现代嵌入式系统中理想的代码存储和数据存储解决方案。

LE25CB1282M-V-TLM-E广泛用于各类需要外部串行Flash存储的电子系统中。典型应用场景包括工业自动化控制系统中的固件存储，网络通信设备如路由器、交换机的Boot Code存储，智能家电和消费类电子产品中的配置参数与用户数据保存，以及物联网终端节点设备中的传感器数据缓存与固件升级模块。由于其支持XIP模式并具备高速Quad和QPI接口，特别适用于搭载ARM Cortex-M系列、RISC-V架构MCU或FPGA的嵌入式系统，允许处理器直接从Flash中执行程序代码，减少对RAM资源的依赖，提升系统响应速度。此外，该芯片也常用于汽车电子中的辅助模块，如车载信息娱乐系统的UI资源存储、远程通信模块的协议栈存储等，满足车规以外的严苛环境要求。在医疗设备领域，因其高可靠性和数据保持能力，可用于存储设备校准参数和操作日志。同时，得益于其小封装和低功耗特性，LE25CB1282M-V-TLM-E也被广泛应用于可穿戴设备、智能家居传感器节点和无线模组中，作为启动代码和配置信息的非易失性载体。其多层级写保护机制和抗干扰设计进一步增强了在关键任务系统中的适用性，保障系统安全稳定运行。

W25Q128JVSIQ
　　IS25LP128
　　EN25QH128B