时间：2025/8/13 12:42:14
阅读：18
LDTDG12GPLT1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的低电压、低功耗、双极性晶体管阵列（dual transistor array）器件。该器件内部集成了两个独立的NPN型晶体管，适用于需要高集成度和低功耗的电路设计。其采用小型DFN封装，适合在空间受限的应用中使用。
类型：双NPN晶体管阵列
最大集电极-发射极电压（VCEO）：50V
最大集电极电流（IC）：100mA
最大功率耗散：200mW
频率响应：100MHz
电流增益（hFE）：110至800（根据电流和型号不同）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装类型：DFN10
LDTDG12GPLT1G 的每个晶体管都具有较高的电流增益和良好的频率响应，适用于模拟和数字电路中的开关和放大应用。
该器件具有较低的饱和压降，有助于提高能效并减少热损耗。
由于其紧凑的DFN封装，LDTDG12GPLT1G 非常适合用于便携式设备和高密度PCB布局设计。
其内部晶体管之间具有良好的匹配特性，适合用于需要对称性的差分放大器电路。
此外，LDTDG12GPLT1G 还具有良好的热稳定性和较高的可靠性，适用于工业和汽车电子应用。
LDTDG12GPLT1G 广泛应用于通信设备、音频放大器、传感器接口电路、电源管理模块以及嵌入式系统中的逻辑电平转换和信号处理。
常见用途包括低频放大器、数字开关电路、LED驱动电路、继电器驱动以及小型马达控制电路。
在汽车电子中，它可用于车灯控制、车载传感器信号调节和车载娱乐系统的音频处理部分。
LTDTA12TPLT1G, DTDG12GBKT1G, DTDG12GKAT1G, BCX56-10, BC547S
