LDTD143EWT1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的 Trench 技术制造,适用于高效率的功率管理应用。该器件封装在 SOT-23(也称为 SC-59)小型表面贴装封装中,便于在空间受限的电路中使用。LDTD143EWT1G 以其低导通电阻(Rds(on))、高开关速度和高可靠性著称,广泛用于电池供电设备、负载开关、DC-DC 转换器和逻辑电平驱动电路中。
类型:N 沟道 MOSFET
漏源电压(Vds):20V
栅源电压(Vgs):±8V
连续漏极电流(Id):100mA
导通电阻(Rds(on)):最大 3.5Ω @ Vgs=4.5V
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
封装类型:SOT-23(SC-59)
LDTD143EWT1G 采用先进的 Trench MOSFET 技术,具有较低的导通电阻(Rds(on)),有助于减少导通损耗并提高能效。其最大导通电阻在 Vgs=4.5V 时为 3.5Ω,在 Vgs=2.5V 时略有增加,但仍保持在较低水平,确保在较低栅极驱动电压下仍能有效工作。
该器件的漏源电压额定值为 20V,适用于低压功率管理应用。连续漏极电流为 100mA,适合用于小型负载开关或信号控制电路。由于其栅源电压限制为 ±8V,设计人员需确保栅极驱动电压在安全范围内,以避免损坏器件。
封装采用 SOT-23 形式,尺寸小巧,便于在高密度 PCB 设计中使用。此外,LDTD143EWT1G 具有良好的热稳定性和可靠性,可在广泛的温度范围内(-55°C 至 +150°C)稳定工作。这使其适用于工业级和消费类电子设备中的功率管理任务。
该 MOSFET 的高开关速度使其适用于高频开关应用,同时具备较低的栅极电荷(Qg),有助于降低开关损耗。其漏极-源极之间的最大漏电流(ID(max))和热阻特性也经过优化,以确保在高温环境下仍能保持良好的性能。
LDTD143EWT1G 主要用于低压功率管理应用,包括电池供电设备中的负载开关、DC-DC 转换器、逻辑电平驱动电路以及小型电子设备中的电源控制。其低导通电阻和小封装特性使其非常适合用于便携式设备(如智能手机、平板电脑、穿戴设备)中的电源管理模块。此外,该器件也可用于传感器电路、LED 驱动、电机控制以及各类小型电子开关应用。由于其具备良好的热稳定性,LDTD143EWT1G 还可用于工业控制系统和汽车电子中的低功率开关任务。
Si2302DS, BSS138, 2N7002, FDN304P