LDTD143EWT1G 时间：2025/8/13 11:29:52 阅读：28

LDTD143EWT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用先进的 Trench 技术制造，适用于高效率的功率管理应用。该器件封装在 SOT-23（也称为 SC-59）小型表面贴装封装中，便于在空间受限的电路中使用。LDTD143EWT1G 以其低导通电阻（Rds(on)）、高开关速度和高可靠性著称，广泛用于电池供电设备、负载开关、DC-DC 转换器和逻辑电平驱动电路中。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±8V
　　连续漏极电流（Id）：100mA
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 3.5Ω @ Vgs=4.5V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23（SC-59）

特性

LDTD143EWT1G 采用先进的 Trench MOSFET 技术，具有较低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗并提高能效。其最大导通电阻在 Vgs=4.5V 时为 3.5Ω，在 Vgs=2.5V 时略有增加，但仍保持在较低水平，确保在较低栅极驱动电压下仍能有效工作。
　　该器件的漏源电压额定值为 20V，适用于低压功率管理应用。连续漏极电流为 100mA，适合用于小型负载开关或信号控制电路。由于其栅源电压限制为 ±8V，设计人员需确保栅极驱动电压在安全范围内，以避免损坏器件。
　　封装采用 SOT-23 形式，尺寸小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用。此外，LDTD143EWT1G 具有良好的热稳定性和可靠性，可在广泛的温度范围内（-55°C 至 +150°C）稳定工作。这使其适用于工业级和消费类电子设备中的功率管理任务。
　　该 MOSFET 的高开关速度使其适用于高频开关应用，同时具备较低的栅极电荷（Qg），有助于降低开关损耗。其漏极-源极之间的最大漏电流（ID(max)）和热阻特性也经过优化，以确保在高温环境下仍能保持良好的性能。

应用

LDTD143EWT1G 主要用于低压功率管理应用，包括电池供电设备中的负载开关、DC-DC 转换器、逻辑电平驱动电路以及小型电子设备中的电源控制。其低导通电阻和小封装特性使其非常适合用于便携式设备（如智能手机、平板电脑、穿戴设备）中的电源管理模块。此外，该器件也可用于传感器电路、LED 驱动、电机控制以及各类小型电子开关应用。由于其具备良好的热稳定性，LDTD143EWT1G 还可用于工业控制系统和汽车电子中的低功率开关任务。