类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：20V
　　最大栅源电压(Vgs)：±12V
　　最大连续漏极电流(Id)：6.1A @25℃
　　漏源导通电阻(Rds(on))：32mΩ @Vgs=4.5V, Id=3A
　　导通延迟时间：4.5ns
　　封装形式：TSOP-6
　　工作温度范围：-55℃~150℃

LDTD123YET1G的主要特性包括低导通电阻、快速开关性能、高可靠性以及优化的热阻性能。该器件采用先进的Trench沟槽结构设计，有效降低了Rds(on)，从而减少了导通损耗，提高了整体效率。此外，该MOSFET具有较低的栅极电荷（Qg），使其在高频开关应用中表现出色，有助于降低开关损耗。
　　在封装方面，TSOP-6封装提供了较小的尺寸和良好的散热性能，适合在空间受限的设计中使用。该器件的工作温度范围较宽，从-55℃到+150℃，能够在各种恶劣环境下稳定运行，具有良好的环境适应性和可靠性。
　　同时，LDTD123YET1G具备良好的抗静电能力（ESD）和过热保护特性，适用于高可靠性要求的工业、汽车及消费类电子产品。其栅极驱动电压范围适中，支持常见的4.5V~10V驱动电路，便于与各类控制器配合使用。

LDTD123YET1G广泛应用于多种电子设备中，包括但不限于：
　　1. 电源管理系统：如DC-DC转换器、同步整流器、稳压模块等，用于提高能效并减少发热。
　　2. 电池供电设备：如移动电源、笔记本电脑、智能穿戴设备等，适用于低电压高效率的应用场景。
　　3. 负载开关控制：用于控制电源路径或外设供电，实现快速通断与节能管理。
　　4. 电机驱动与继电器替代：在小型电机控制或固态开关应用中提供更高的可靠性和更长的使用寿命。
　　5. 工业自动化与汽车电子：适用于需要高可靠性和宽温度适应性的控制系统中。

Si2302DS, AO3400A, FDN340P, NTR4502P, FDS6680