类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：100 mA
　　最大漏源电压（VDS）：20 V
　　最大栅源电压（VGS）：±12 V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.1 Ω（最大）
　　阈值电压（VGS(th)）：0.45 V至1.5 V
　　功率耗散（PD）：200 mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装类型：SOT-23

LDTD114GLT1G MOSFET具备多项优异特性，适用于多种高精度和高稳定性要求的应用场景。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下具有较低的功耗，从而提高了整体系统的效率。由于采用了先进的沟槽式工艺技术，该器件能够在较小的封装中提供优异的电气性能。
　　该MOSFET的阈值电压范围为0.45 V至1.5 V，使其能够兼容多种逻辑电平驱动信号，便于与微控制器或其他数字控制电路配合使用。此外，LDTD114GLT1G的最大漏极电流为100 mA，适用于小功率开关和控制电路。
　　器件的最大漏源电压为20 V，能够在一定的电压波动范围内稳定工作。其最大栅源电压为±12 V，提供了足够的栅极驱动保护范围，防止因过高的栅极电压导致的损坏。功率耗散能力为200 mW，确保在常见的环境温度下能够可靠运行。
　　工作温度范围从-55°C到+150°C，使LDTD114GLT1G适用于各种极端环境条件下的应用，如汽车电子、工业控制系统和便携式电子产品。SOT-23封装形式不仅节省空间，还方便表面贴装工艺（SMT）的实施，提高了生产效率和焊接可靠性。
　　总体而言，LDTD114GLT1G是一款性能稳定、功耗低、易于集成的MOSFET器件，适用于广泛的电子设计领域。

LDTD114GLT1G广泛应用于便携式电子设备、电源管理系统、负载开关、电池供电设备、逻辑电平转换电路、LED驱动电路、汽车电子模块以及工业控制系统。该器件的低功耗特性和高可靠性使其成为各种低电流开关应用的理想选择。

LTD114GLT1G, LTRTD114GLT1G, BSS138, 2N7002, FDN337N