类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流：100 mA
　　最大漏源电压：30 V
　　最大栅源电压：20 V
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2 Ω @ Vgs = 10 V
　　栅极电荷：4.8 nC
　　功率耗散：300 mW
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-23

LDTC144VLT1G MOSFET 具有多个显著的电气和物理特性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保在导通状态下具有较低的功率损耗，从而提高整体系统效率。
　　其次，该器件具有高开关速度，使其适用于高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸并提升电源转换效率。
　　此外，LDTC144VLT1G 采用 SOT-23 小型封装形式，便于在空间受限的 PCB 设计中使用，同时具备良好的热管理能力。
　　该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽（可支持 4.5V 至 10V），使其能够与多种驱动电路兼容，包括常见的微控制器和专用驱动 IC。
　　最后，该器件的可靠性高，能够在 -55°C 至 150°C 的温度范围内稳定工作，适应各种工业和汽车应用环境。

LDTC144VLT1G 主要应用于低功率开关电路中，如 DC-DC 转换器中的同步整流开关、电池供电设备中的负载开关、LED 驱动电路、电机控制电路以及各类电源管理系统。
　　由于其高频率特性，它也常用于高频电源变换器和小型电源模块中。
　　此外，该器件适用于需要高效能和小尺寸封装的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备等。
　　在工业控制和汽车电子中，LDTC144VLT1G 也用于传感器驱动、继电器替代以及低电压电机控制等场合。

2N7002, BSS138, FDN304P, ZVN2110A