晶体管类型：NPN
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：30 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：30 V
　　最大功耗：300 mW
　　增益带宽积（fT）：100 MHz
　　电流增益（hFE）：在2 mA集电极电流下为110至800（根据等级不同）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

LDTC124TET1G具有多种电流增益等级可供选择，这使其能够适应不同的电路设计需求。晶体管的hFE值范围从110到800不等，确保在各种应用中都能实现最佳性能。此外，该晶体管的频率响应较高，适用于高频放大电路。其SOT-23封装不仅节省空间，还便于自动化装配。
　　该晶体管采用了先进的制造工艺，具备良好的热稳定性和可靠性。其最大集电极电流为100 mA，能够在相对较高的电流负载下稳定工作。晶体管的集电极-发射极和集电极-基极电压均为30 V，这使其适用于多种中低压电路应用。此外，LDTC124TET1G的功耗为300 mW，确保在小型封装中也能保持良好的散热性能。
　　这款晶体管的工作温度范围广泛，从-55°C到+150°C，使其能够在极端环境条件下正常工作。这种宽温度范围的特性使其适合在工业控制、汽车电子和消费类电子产品中使用。

LDTC124TET1G广泛应用于各种电子电路中，主要包括通用放大电路、开关电路和逻辑电路。在放大电路中，该晶体管可以用于信号放大，例如在音频放大器和射频放大器中。由于其高频响应特性，它特别适合用于高频信号放大和处理。
　　在开关电路中，LDTC124TET1G可以作为电子开关使用，控制电流的通断。其较高的集电极电流和电压额定值使其适用于各种中低功率开关应用，例如继电器驱动、LED驱动和电机控制。
　　此外，该晶体管还可用于逻辑电路和数字电路中的信号处理和控制。例如，在嵌入式系统和微控制器电路中，它可以作为缓冲器或电平转换器，帮助实现不同电压电平之间的信号转换。
　　LDTC124TET1G的小型封装和高性能特性使其非常适合在空间受限的电路设计中使用，例如便携式电子产品、通信设备和传感器电路。

BC847系列、2N3904、MMBT3904、2N2222A