LDTC123TWT1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的精密电压基准芯片,广泛用于需要高精度电压参考的电路设计中。该芯片采用 SOT-23 封装,具有低功耗、高精度和稳定性强的特点,适用于数据转换器、测量仪器、工业控制系统以及精密放大器等应用场景。
输出电压:2.5 V
初始精度:±0.5%
温度漂移:20 ppm/°C
工作电流:50 μA(典型值)
工作电压范围:2.7 V 至 12 V
封装类型:SOT-23-5
LDTC123TWT1G 电压基准芯片以其出色的精度和稳定性著称。该芯片的初始精度为 ±0.5%,能够提供非常稳定的 2.5V 基准电压,适用于对精度要求较高的应用环境。其温度漂移仅为 20 ppm/°C,确保在不同工作温度下仍能保持高精度输出。此外,该芯片的工作电流仅为 50 μA 典型值,具有非常低的功耗特性,适合电池供电或低功耗系统使用。LDTC123TWT1G 的工作电压范围为 2.7V 至 12V,具有良好的适应性,可广泛应用于多种电子设备中。其采用的 SOT-23-5 封装形式,不仅节省空间,还便于在高密度 PCB 设计中布局。
此外,该器件具有良好的负载和线路调整率,能够有效减少外部电路对基准电压的影响,从而提升整体系统精度。同时,LDTC123TWT1G 还具备优异的长期稳定性,减少了随时间变化的误差,适用于需要长时间稳定工作的精密测量设备。
LDTC123TWT1G 主要用于需要高精度电压基准的场合,如模拟-数字转换器(ADC)和数字-模拟转换器(DAC)的参考电压源、精密测量仪器、传感器接口电路、工业控制系统、电池管理系统(BMS)以及高精度放大器电路。此外,该器件也广泛应用于便携式电子设备、医疗仪器、测试设备和数据采集系统中,确保这些设备在复杂环境下仍能保持高精度的运行。
LM385-2.5, TL431, LMV431, REF3125