LDTC115GWT1G 时间：2025/8/13 6:16:46 阅读：27

LDTC115GWT1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）制造的N沟道增强型功率MOSFET。该器件专为高效率电源管理应用而设计，适用于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及其他需要高电流和低导通电阻的场合。该MOSFET采用小型化的表面贴装封装（如TSOP），便于在高密度PCB设计中使用。LDTC115GWT1G具备良好的热稳定性和高可靠性，能够在较高的工作温度下稳定运行。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：6A
　　最大漏源电压（VDS）：30V
　　最大栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：32mΩ（典型值，VGS=10V）
　　栅极电荷（Qg）：10nC（典型值）
　　功耗（PD）：2.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装形式：TSOP（SOT-23）

特性

LDTC115GWT1G具备多个关键特性，使其在电源管理应用中表现出色。首先，其低导通电阻（RDS(on)）仅为32mΩ，在高电流工作状态下可显著降低导通损耗，提高系统效率。这使得该器件非常适合用于高频率开关电源和DC-DC转换器。
　　其次，LDTC115GWT1G支持高达6A的连续漏极电流和30V的漏源电压，适用于中高功率应用。栅极电荷仅为10nC，有助于降低开关损耗，提高开关速度，从而进一步提升系统效率。
　　此外，该MOSFET采用TSOP封装，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用，同时具备良好的热管理能力。该器件的栅极驱动电压范围较宽（通常为4.5V至10V），可与多种控制器或驱动器兼容。
　　LDTC115GWT1G还具备良好的抗静电（ESD）能力和热稳定性，可在恶劣环境中稳定运行。其工作温度范围宽达-55°C至150°C，适用于工业级和汽车级应用场景。

应用

LDTC115GWT1G广泛应用于各类电源管理系统和电子设备中，包括但不限于DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、便携式电子设备、LED驱动电路、电机控制器以及电源管理模块等。
　　在DC-DC转换器中，该MOSFET可用作同步整流器或主开关器件，以提高转换效率并减小电路体积。在负载开关应用中，它可以用于控制电源通断，实现低功耗管理。此外，该器件还可用于电池充电和放电控制电路，确保电池在安全电流范围内工作。
　　由于其高可靠性和小型封装，LDTC115GWT1G也适用于汽车电子系统、智能电表、工业控制设备和消费类电子产品。其低导通损耗和快速开关特性使其在高频率开关应用中表现优异。