类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：20V
　　栅极-源极电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：100mA
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　导通电阻（Rds(on)）：最大值为2.5Ω（在Vgs=4.5V时）
　　封装类型：SOT-23

LDTC115GET1G具有多项出色的电气和热性能，能够满足多种电源管理应用的需求。其低导通电阻（Rds(on)）特性使得在开关过程中能够降低功率损耗，提高系统的整体效率。此外，该器件的高栅极击穿电压（±12V）提供了更强的抗干扰能力，确保在复杂电磁环境中稳定运行。
　　LDTC115GET1G采用了先进的沟槽MOSFET技术，优化了电流传输路径，降低了导通电阻并提高了热稳定性。这使得该器件在小尺寸封装下仍能保持良好的散热性能，适用于高密度电路设计。其SOT-23封装形式不仅节省空间，还便于自动化生产和焊接。
　　此外，LDTC115GET1G具有较高的可靠性和较长的使用寿命，适用于多种工业和消费类电子产品。其工作温度范围宽达-55°C至150°C，能够在极端温度条件下稳定工作。这使得该器件在汽车电子、工业控制和便携式设备等领域中表现出色。

LDTC115GET1G广泛应用于各类电子设备中，尤其是在需要高效电源管理和小型化设计的场景中。常见应用包括电池供电设备、DC-DC转换器、负载开关、LED驱动电路以及各种低功耗开关电路。在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，LDTC115GET1G可用于电源管理模块，以提高能效和延长电池寿命。
　　在工业控制系统中，该器件可用于传感器信号切换、继电器驱动和电机控制等应用。由于其高可靠性和良好的热性能，LDTC115GET1G也适用于汽车电子系统，如车载充电器、车身控制模块和车载娱乐系统等。此外，在智能家居设备和物联网（IoT）应用中，该MOSFET可用于低功耗无线通信模块的电源管理。

Si2302DS, 2N7002, BSS138