晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（Vce）：50V
　　集电极电流（Ic）：100mA
　　功耗（Pd）：300mW
　　增益带宽积（fT）：100MHz
　　电流增益（hFE）：110-800（根据工作电流不同）
　　封装类型：SOT-23

LDTC115ELT1G具有多种特性，使其在通用晶体管应用中表现出色。首先，该晶体管的最大集电极-发射极电压为50V，能够适应较高的电压应用环境。其次，其最大集电极电流为100mA，适合中等电流的开关和放大任务。此外，该晶体管的增益带宽积为100MHz，能够在高频条件下保持良好的性能，适合需要较高频率响应的应用场景。
　　LDTC115ELT1G的电流增益（hFE）范围为110至800，具体值取决于集电极电流的大小。这种宽范围的增益使其在不同的工作条件下都能保持稳定的放大性能。该晶体管还具有较低的饱和电压，有助于减少功耗并提高效率。此外，SOT-23封装设计使其具有较小的体积，适用于高密度PCB布局，同时具备良好的热性能，确保在正常工作条件下的稳定性。
　　LDTC115ELT1G的工作温度范围通常为-55°C至+150°C，能够适应较为恶劣的环境条件，适用于工业和汽车电子等对可靠性要求较高的领域。

LDTC115ELT1G主要用于通用开关和放大电路。在数字电路中，它可以作为开关元件，控制负载的通断，例如驱动LED、继电器或小型电机。在模拟电路中，LDTC115ELT1G可用于信号放大，例如在音频放大器或射频放大电路中作为前置放大器使用。此外，该晶体管还可以用于电压调节电路、缓冲电路和逻辑电平转换电路。
　　由于其高频性能，LDTC115ELT1G也常用于射频和无线通信设备中的信号处理电路。在汽车电子系统中，该晶体管可以用于传感器信号放大、车载娱乐系统和控制模块。此外，它还适用于工业自动化设备、测试仪器和消费类电子产品，提供可靠的开关和放大功能。

MMBT3904, 2N3904, BC547, PN2222