时间：2025/8/13 4:48:58
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LDTC114TLT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用 SOT-23 封装。该器件主要用于低电压和中等功率的开关应用，具有良好的热稳定性和高频工作能力，适合用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场合。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 (Vds)：30V
栅源电压 (Vgs)：±20V
连续漏极电流 (Id)：100mA
功耗 (Pd)：300mW
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：SOT-23
LDTC114TLT1G 采用了先进的沟槽技术，提供了低导通电阻（Rds(on)），在低电压应用中可以实现更高的效率。该器件具有良好的热稳定性，能够在较高的温度下稳定工作。此外，其 ±20V 的栅极电压耐受能力增强了在不同工作条件下的可靠性。
这款 MOSFET 的 SOT-23 小型封装形式，适合用于空间受限的电路设计，同时保持了良好的散热性能。其低栅极电荷（Qg）也使得在高频开关应用中损耗更低，提高了整体系统的能效。
LDTC114TLT1G 还具备快速开关特性，适用于需要快速响应的 PWM（脉宽调制）控制电路。其在低电压下的稳定工作能力，使其广泛应用于便携式电子产品、电池管理系统、LED 驱动电路和传感器控制模块。
LDTC114TLT1G 主要应用于便携式电子设备中的电源管理电路、电池供电系统中的负载开关、小型 DC-DC 转换器、LED 照明驱动电路、传感器信号控制以及电机驱动电路等。由于其高频开关能力和低功耗特性，也常用于音频功率放大器和低功耗物联网设备中。
2N7002, BSS138, FDV301N, 2N3904
