时间：2025/5/10 9:32:32
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LDTC114EN3T5G 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的高效功率晶体管，适用于高频和高效率应用。该器件采用增强型常闭 (E-mode) 氮化镓技术，具有低导通电阻、高开关速度和高功率密度的特点。其封装形式为表面贴装 (SMD)，适合自动化生产，并能有效降低寄生电感对高频性能的影响。
这款 GaN 功率晶体管主要针对高性能电源转换市场设计，例如 DC-DC 转换器、通信电源、工业电源、服务器电源等。
最大漏源电压：100V
最大栅极电压：6V
连续漏极电流：4A
导通电阻：7mΩ
开关频率：支持高达5MHz
结温范围：-55℃至+150℃
封装类型：TO-Leadless（无引脚）
LDTC114EN3T5G 的主要特性包括：
1. 高效的氮化镓技术，具备更低的导通电阻和更少的能量损耗。
2. 支持超高开关频率（高达 5MHz），可显著减少无源元件尺寸并提升功率密度。
3. 内部集成 ESD 保护电路，增强了器件在实际应用中的可靠性。
4. 增强型常闭 (E-mode) 设计，无需额外的负栅极驱动电压，简化了驱动设计。
5. 表面贴装封装形式，减少了寄生效应，提高了高频性能。
6. 广泛的工作温度范围（-55℃ 至 +150℃），适应各种恶劣环境。
LDTC114EN3T5G 主要应用于以下领域：
1. 高频 DC-DC 转换器。
2. 通信设备中的高效电源模块。
3. 工业电源系统。
4. 数据中心和服务器电源供应。
5. 无线充电及便携式电子设备电源管理。
6. 其他需要高效率和小型化的电力转换应用场景。
LDTB114EN3T5G, LDC114EN3T5G
