LDTC114EM3T5G 时间：2025/8/14 2:18:25 阅读：26

LDTC114EM3T5G是一款由ON Semiconductor生产的双极型晶体管（BJT）阵列，广泛应用于各种电子电路中。这款器件包含两个独立的NPN晶体管，封装在SOT-23-3的塑料封装中，适用于需要高性能晶体管的小型电子设备。LDTC114EM3T5G的设计使其能够在相对较高的频率下工作，同时保持较低的功耗。

参数

类型：双极型晶体管（BJT）阵列
　　晶体管数量：2个NPN晶体管
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗：300mW
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　封装类型：SOT-23-3

特性

LDTC114EM3T5G的每个晶体管具有较高的电流增益，确保在各种应用中的稳定性和可靠性。该器件的封装设计使其易于集成到PCB上，并且适合表面贴装工艺（SMT），这对于现代自动化生产至关重要。
　　这款晶体管的集电极-发射极电压（VCEO）为50V，最大集电极电流为100mA，这使得它适用于中等功率的应用。此外，其最大功耗为300mW，确保在正常工作条件下不会过热。
　　LDTC114EM3T5G的增益带宽积（fT）为250MHz，表明其在高频应用中表现出色。这使其适用于射频（RF）放大器、开关电路以及模拟信号处理等领域。
　　此外，该器件的工作温度范围通常在-55°C至+150°C之间，能够适应各种恶劣的工作环境。

应用

LDTC114EM3T5G广泛应用于多个领域，包括通信设备、音频放大器、电源管理电路、信号处理电路等。在通信设备中，该晶体管可用于射频放大器和调制解调器的设计，提供稳定的信号放大功能。
　　在音频放大器中，LDTC114EM3T5G的高增益特性使其能够有效地放大音频信号，从而提高音质。此外，该器件也可用于电源管理电路中，实现高效的电能转换和调节。
　　由于其封装小巧，LDTC114EM3T5G也常用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。在这些设备中，它可用于信号处理、开关控制以及传感器接口电路。