LDTC114EM3T5G是一款由ON Semiconductor生产的双极型晶体管(BJT)阵列,广泛应用于各种电子电路中。这款器件包含两个独立的NPN晶体管,封装在SOT-23-3的塑料封装中,适用于需要高性能晶体管的小型电子设备。LDTC114EM3T5G的设计使其能够在相对较高的频率下工作,同时保持较低的功耗。
类型:双极型晶体管(BJT)阵列
晶体管数量:2个NPN晶体管
集电极-发射极电压(VCEO):50V
最大集电极电流(IC):100mA
最大功耗:300mW
增益带宽积(fT):250MHz
封装类型:SOT-23-3
LDTC114EM3T5G的每个晶体管具有较高的电流增益,确保在各种应用中的稳定性和可靠性。该器件的封装设计使其易于集成到PCB上,并且适合表面贴装工艺(SMT),这对于现代自动化生产至关重要。
这款晶体管的集电极-发射极电压(VCEO)为50V,最大集电极电流为100mA,这使得它适用于中等功率的应用。此外,其最大功耗为300mW,确保在正常工作条件下不会过热。
LDTC114EM3T5G的增益带宽积(fT)为250MHz,表明其在高频应用中表现出色。这使其适用于射频(RF)放大器、开关电路以及模拟信号处理等领域。
此外,该器件的工作温度范围通常在-55°C至+150°C之间,能够适应各种恶劣的工作环境。
LDTC114EM3T5G广泛应用于多个领域,包括通信设备、音频放大器、电源管理电路、信号处理电路等。在通信设备中,该晶体管可用于射频放大器和调制解调器的设计,提供稳定的信号放大功能。
在音频放大器中,LDTC114EM3T5G的高增益特性使其能够有效地放大音频信号,从而提高音质。此外,该器件也可用于电源管理电路中,实现高效的电能转换和调节。
由于其封装小巧,LDTC114EM3T5G也常用于便携式电子产品,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备。在这些设备中,它可用于信号处理、开关控制以及传感器接口电路。
BC847系列, 2N3904