LDTC114EET1G 时间：2025/7/1 20:08:52 阅读：23

LDTC114EET1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沃晶体管，属于逻辑电平 MOSFET 类型。该器件采用增强型设计，具有较低的导通电阻和高开关速度，适合用于各种功率转换和负载切换应用。其封装形式为 TO-263-3（DPAK），能够有效提高散热性能并简化 PCB 布局。
　　该晶体管的工作电压范围宽广，能够在多种电路环境中提供可靠的性能表现。由于其低导通电阻特性，非常适合要求高效能和低功耗的应用场景。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：47A
　　栅极-源极电压：±20V
　　导通电阻：15mΩ
　　总功耗：185W
　　工作温度范围：-55℃ 至 +175℃

特性

LDTC114EET1G 具有出色的电气性能和可靠性，主要特点包括：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在典型条件下仅为 15mΩ，从而减少功率损耗。
　　2. 高雪崩能量能力，确保在异常情况下也能安全运行。
　　3. 快速开关速度，有助于降低开关损耗，特别适合高频应用。
　　4. 较高的漏源击穿电压（60V），使其适用于较宽的电压范围。
　　5. 符合 RoHS 标准，环保且满足现代工业规范。
　　6. 良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的性能表现。

应用

这款晶体管广泛应用于多个领域，包括但不限于以下方面：
　　1. 开关电源（SMPS）中的同步整流和主开关。
　　2. DC-DC 转换器，用于负载点调节和电压转换。
　　3. 电机驱动电路，用于控制直流电机或步进电机。
　　4. 电池管理系统中的充放电保护和负载切换。
　　5. 照明系统，如 LED 驱动和调光控制。
　　6. 各类消费电子产品、工业设备及汽车电子中的功率管理模块。