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LDTC114EET1G 发布时间 时间:2025/7/1 20:08:52 查看 阅读:10

LDTC114EET1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沃晶体管,属于逻辑电平 MOSFET 类型。该器件采用增强型设计,具有较低的导通电阻和高开关速度,适合用于各种功率转换和负载切换应用。其封装形式为 TO-263-3(DPAK),能够有效提高散热性能并简化 PCB 布局。
  该晶体管的工作电压范围宽广,能够在多种电路环境中提供可靠的性能表现。由于其低导通电阻特性,非常适合要求高效能和低功耗的应用场景。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:47A
  栅极-源极电压:±20V
  导通电阻:15mΩ
  总功耗:185W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃

特性

LDTC114EET1G 具有出色的电气性能和可靠性,主要特点包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在典型条件下仅为 15mΩ,从而减少功率损耗。
  2. 高雪崩能量能力,确保在异常情况下也能安全运行。
  3. 快速开关速度,有助于降低开关损耗,特别适合高频应用。
  4. 较高的漏源击穿电压(60V),使其适用于较宽的电压范围。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代工业规范。
  6. 良好的热稳定性,在高温环境下仍能保持稳定的性能表现。

应用

这款晶体管广泛应用于多个领域,包括但不限于以下方面:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流和主开关。
  2. DC-DC 转换器,用于负载点调节和电压转换。
  3. 电机驱动电路,用于控制直流电机或步进电机。
  4. 电池管理系统中的充放电保护和负载切换。
  5. 照明系统,如 LED 驱动和调光控制。
  6. 各类消费电子产品、工业设备及汽车电子中的功率管理模块。

替代型号

IRFZ44N
  FDP5500
  STP55NF06L

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