类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：30V
　　最大漏极电流（Id）：100mA
　　导通电阻（Rds(on)）：1.2Ω（最大值）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1.0V 至 2.5V
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-23

LDTC114EET1G-GLDTC114EET1G MOSFET 具备多项优良特性，使其在各种电子系统中表现出色。
　　首先，其低导通电阻（Rds(on)）确保了在导通状态下较低的功率损耗，这对于提高系统效率和降低热量产生至关重要。该器件的最大 Rds(on) 为 1.2Ω，在同类产品中具有竞争力。
　　其次，该 MOSFET 的栅极阈值电压（Vgs(th)）范围为 1.0V 至 2.5V，适用于多种逻辑电平控制电路，尤其是与低压微控制器（MCU）配合使用时表现出良好的兼容性。这使得该器件可以用于低功耗应用，如便携式设备和电池供电系统。
　　此外，LDTC114EET1G-GLDTC114EET1G 采用 SOT-23 封装，具有较小的体积，便于在高密度 PCB 设计中使用。这种封装形式还具备良好的散热性能，有助于提高器件在高负载条件下的稳定性。
　　该 MOSFET 支持的工作温度范围较宽（-55°C 至 +150°C），适用于工业级和汽车电子应用环境。无论是在高温还是低温条件下，器件都能保持稳定的电气性能。
　　最后，该器件的最大漏极电流为 100mA，适用于中低功率的开关控制应用。结合其低功耗特性和良好的热稳定性，LDTC114EET1G-GLDTC114EET1G 可用于多种电源管理电路，如 LED 驱动、继电器控制、传感器接口和电机控制等。

LDTC114EET1G-GLDTC114EET1G MOSFET 广泛应用于多个电子领域，包括：
　　1. 电源管理系统：该器件可用于低功耗 DC-DC 转换器、稳压器和电池管理系统，尤其适合便携式设备和嵌入式系统。
　　2. 开关控制电路：由于其快速开关特性和低导通电阻，LDTC114EET1G-GLDTC114EET1G 可用于负载开关、继电器替代方案和电机控制电路。
　　3. 传感器接口：该 MOSFET 可用于传感器电路中的开关控制，确保精确的信号采集和低功耗运行。
　　4. 汽车电子系统：其宽工作温度范围和高可靠性使其适用于汽车中的电子控制单元（ECU）、车载充电系统和车身控制模块。
　　5. 工业自动化：该器件可用于工业控制系统中的信号切换、继电器驱动和小型执行器控制，适用于各种工业环境。
　　6. LED 照明与显示驱动：在 LED 驱动电路中，LDTC114EET1G-GLDTC114EET1G 可用于调节亮度或作为开关元件，提供高效的电流控制。

2N7002, BSS138, 2N3904