时间：2025/8/13 21:51:47
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LDTC114EET1是一款由ON Semiconductor生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率、低电压应用设计。该器件采用先进的Trench沟槽技术，具有极低的导通电阻（RDS(on)），能够在高频率下高效工作，适用于各种电源管理、负载开关和DC-DC转换器等应用场景。LDTC114EET1采用SOT-23封装，体积小巧，适合用于空间受限的设计中。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏极-源极电压(VDS)：20V
栅极-源极电压(VGS)：±12V
连续漏极电流(ID)：100mA（最大值）
导通电阻(RDS(on))：1.2Ω（典型值，VGS=4.5V）
功率耗散(PD)：300mW
工作温度范围：-55°C至150°C
存储温度范围：-55°C至150°C
LDTC114EET1 MOSFET具有多项优异特性，适用于高效率电源管理应用。其主要特点包括：低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率；支持低电压工作，适用于便携式设备和低功耗应用；Trench沟槽技术提高了器件的开关性能和热稳定性；SOT-23封装便于PCB布局并节省空间；该器件具有良好的热阻特性，能够在较高温度环境下稳定工作。
此外，LDTC114EET1具备快速开关能力，适用于高频DC-DC转换器、负载开关和逻辑电平控制电路。其栅极驱动电压范围宽，能够在不同电压条件下保持良好的导通性能，适合用于电池供电设备中的电源开关和控制应用。
该MOSFET的封装材料符合RoHS标准，支持环保设计，并具有良好的抗静电能力，提高了器件的可靠性。
LDTC114EET1广泛应用于各种便携式电子设备和低功耗系统中。典型应用包括电池供电设备的负载开关、小型DC-DC转换器、LED驱动电路、逻辑电平控制开关以及各种需要低电压、低电流控制的MOSFET电路。该器件也常用于工业控制、消费类电子产品和通信设备中的电源管理模块。
FDV301N、2N7002、DMG3415U、Si2302DS、FDMC6670L
