时间：2025/8/14 1:10:57
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LDTC113ZWT1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）推出的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于各种中低功率开关应用。该器件采用先进的Trench沟槽工艺，提供优异的导通电阻和开关性能，适合用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器等场景。LDTC113ZWT1G采用SOT-223封装，具备良好的热管理和小型化设计，适用于便携式电子设备和高密度PCB布局。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流（ID）：4A
最大漏极-源极电压（VDS）：20V
最大栅极-源极电压（VGS）：±12V
导通电阻（RDS(on)）：最大值85mΩ（在VGS=4.5V时）
栅极电荷（Qg）：10nC（典型值）
功率耗散：1.5W（Tamb=25°C）
工作温度范围：-55°C至+150°C
封装形式：SOT-223
LDTC113ZWT1G MOSFET采用了先进的Trench技术，具有非常低的导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体效率。该器件的栅极驱动电压范围适中，可以在4.5V至12V之间正常工作，适用于多种控制电路的设计。此外，该MOSFET具有较高的开关速度，有助于降低开关损耗，适用于高频开关应用。SOT-223封装不仅提供了良好的散热性能，还使得该器件能够适应紧凑的PCB空间布局，特别适合于便携式设备和嵌入式系统。
该MOSFET具有良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定的电气性能，确保系统在恶劣工作条件下可靠运行。同时，其低栅极电荷特性有助于减少驱动电路的功耗，提高整体系统的能效。LDTC113ZWT1G还具有较强的抗静电能力，能够在制造和装配过程中提供更高的安全裕度，降低损坏风险。
LDTC113ZWT1G广泛应用于各种电子设备中，包括便携式电源管理系统、电池供电设备、DC-DC转换器、负载开关、电机驱动电路以及各类小型电源模块。由于其低导通电阻和良好的热管理性能，该器件特别适合用于需要高效能和高可靠性的场合，如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备以及工业控制设备等。此外，该MOSFET还可用于LED驱动电路、电源适配器和小型逆变器等应用。
NTD14N02LT4G, FDS6680, AO4406, IRLML6402
