LDTC113ZLT1G 时间：2025/8/13 23:34:49 阅读：21

LDTC113ZLT1G 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于电源管理和开关电路中。该器件采用先进的沟槽工艺，提供低导通电阻和高可靠性，适用于消费类电子产品、工业设备和通信系统等应用场景。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：200 mA（连续）
　　最大漏极-源极电压（VDS）：50 V
　　最大栅极-源极电压（VGS）：±20 V
　　导通电阻（RDS(on)）：300 mΩ（典型值）@ VGS = 10 V
　　阈值电压（VGS(th)）：1.0 V 至 2.5 V
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：SOT-23

特性

LDTC113ZLT1G 具有多个显著特性，使其在多种应用中表现出色。首先，该器件采用了先进的沟槽式 MOSFET 技术，显著降低了导通电阻，从而减少了导通状态下的功率损耗。这种低 RDS(on) 特性在高效率电源转换和负载开关应用中尤为重要。
　　其次，LDTC113ZLT1G 的最大漏极-源极电压为 50 V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压电源控制应用。其栅极-源极电压容限为 ±20 V，提供了良好的栅极驱动兼容性，适用于多种控制电路设计。
　　此外，该 MOSFET 采用 SOT-23 小型封装形式，体积小巧，便于在空间受限的设计中使用，例如便携式电子设备和 PCB 密集型模块。该封装还具备良好的散热性能，能够在较高的工作温度下保持稳定运行。
　　该器件的阈值电压范围为 1.0 V 至 2.5 V，适合与低压微控制器和数字逻辑电路配合使用，实现高效的开关控制。此外，其工作温度范围宽达 -55°C 至 +150°C，确保在极端环境条件下也能可靠运行，适用于工业级和汽车电子应用。

应用

LDTC113ZLT1G 主要应用于以下领域：首先，在便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，用于电源管理、负载开关和电池保护电路。其次，在工业控制系统中，用于电机驱动、继电器替代和电源转换模块。此外，该器件也广泛应用于通信设备、传感器接口电路以及汽车电子系统中的低功耗开关控制。由于其具备较高的电压耐受能力和低导通电阻，该 MOSFET 在 DC-DC 转换器、LED 驱动电路以及逻辑电平转换电路中也具有良好的性能表现。