时间：2025/8/13 7:55:51
阅读：30
LDTC113YWT1G 是一款由ON Semiconductor（安森美半导体）推出的NPN型晶体管，主要用于通用开关和放大电路。该晶体管采用SOT-23（Small Outline Transistor）封装，适用于多种电子设备，提供高效能和可靠性。
晶体管类型：NPN
最大集电极电流（Ic）：100mA
最大集电极-发射极电压（Vce）：50V
最大集电极-基极电压（Vcb）：50V
最大功耗（Pd）：300mW
直流电流增益（hFE）：110-800（具体范围根据档位）
过渡频率（fT）：100MHz
工作温度范围：-55°C至+150°C
LDTC113YWT1G 具有优异的电气性能和稳定性，适用于广泛的开关和放大应用。其SOT-23封装设计使其非常适合表面贴装技术（SMT），从而节省电路板空间并提高生产效率。该晶体管的高过渡频率（fT）为100MHz，意味着它能够在较高频率下保持良好的性能，适用于射频（RF）和快速开关电路。
这款晶体管的直流电流增益（hFE）范围广泛，从110到800不等，分为不同档位，为设计者提供了灵活的选择。它能够在-55°C至+150°C的温度范围内稳定工作，因此适合在极端环境条件下使用。此外，LDTC113YWT1G 的最大集电极电流为100mA，能够满足大多数低功率应用的需求。
在可靠性方面，LDTC113YWT1G 经过严格的测试和验证，确保其在各种应用场景中表现出色。其最大功耗为300mW，确保了在较高负载下仍能保持较低的温度上升，从而延长器件的使用寿命。
LDTC113YWT1G 主要用于通用开关电路、放大器电路、逻辑电平转换、LED驱动电路以及各种小型电子设备中的控制电路。由于其高频性能，它也适用于射频（RF）信号处理和通信设备中的相关应用。
2N3904, BC547, PN2222A
