时间：2025/8/13 5:15:40
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LDTBG12GPWT1G 是由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的一款双极型晶体管（BJT），属于 NPN 型高频晶体管。该器件主要用于射频（RF）和高频放大应用，适合在无线通信、广播设备以及其他需要高增益和低噪声的电子系统中使用。
类型：NPN 双极型晶体管
最大集电极-发射极电压（Vce）：12 V
最大集电极电流（Ic）：100 mA
最大功耗（Pd）：300 mW
最大频率（fT）：2500 MHz
电流增益（hFE）：100 - 800（根据工作电流和条件而定）
封装类型：SOT-323（SC-70）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
LDTBG12GPWT1G 具有优异的高频性能，能够在高达 2.5 GHz 的频率下稳定工作，适用于射频放大和混频电路。
该晶体管的封装形式为 SOT-323，体积小巧，便于在高密度 PCB 设计中使用。其低噪声系数和高线性度使其非常适合用于前端射频放大器和低噪声放大器（LNA）应用。
此外，LDTBG12GPWT1G 的 hFE 值范围较宽，可根据不同工作条件提供灵活的设计选择，确保在多种偏置条件下都能获得良好的增益性能。
器件具有良好的热稳定性，能够在较宽的温度范围内保持稳定的工作特性，适用于工业级和消费类电子产品。
LDTBG12GPWT1G 主要应用于射频和微波通信系统，如无线基站、射频识别（RFID）、Wi-Fi 模块、蓝牙设备、FM 收音机前端放大器等。
它还可用于射频混频器、振荡器、调制解调器以及其它需要高频性能的电子电路中。由于其低噪声和高增益特性，特别适合用于接收器的前置放大器部分，以提高系统的整体灵敏度和信号质量。
此外，该晶体管也可用于模拟信号处理、射频功率放大以及高频开关应用。
BFQ59, BFR181W, BFR93A, HPMX2112N
