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LDTBG12GPT1G 发布时间 时间:2025/8/13 4:47:11 查看 阅读:22

LDTBG12GPT1G是一款由Littelfuse公司生产的表面贴装(SMD)瞬态电压抑制二极管(TVS),主要用于保护电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌和瞬态电压的损害。该器件具有低电容、快速响应时间和高可靠性,适用于高速数据线和敏感电子设备的保护。LDTBG12GPT1G采用小型SOD-882封装,适合空间受限的应用场景。

参数

类型:瞬态电压抑制二极管(TVS)
  封装:SOD-882
  工作电压:12V
  最大反向工作电压(VRWM):12V
  钳位电压(Vc):18V(在Ipp = 1A时)
  峰值脉冲电流(Ipp):1A
  最大反向电容(Ct):30pF
  响应时间:1ps(典型值)
  极性:单向
  安装类型:表面贴装(SMD/SMT)
  温度范围:-55°C ~ 150°C

特性

LDTBG12GPT1G具有多项优异的电气和机械特性,确保其在各种应用中提供稳定的保护性能。首先,其低电容设计(最大30pF)使其适用于高速数据线路,如USB、HDMI和以太网接口,不会影响信号完整性。其次,该TVS二极管具有极快的响应时间,能够在纳秒级内对瞬态电压事件作出反应,从而有效保护后端电路。此外,该器件采用小型SOD-882封装,节省PCB空间,适合高密度设计。LDTBG12GPT1G还具有良好的热稳定性和长期可靠性,可在-55°C至150°C的宽温度范围内稳定工作。其单向极性结构能够有效吸收正向和负向的瞬态能量,提供全方位的保护。
  在电气性能方面,LDTBG12GPT1G的最大反向工作电压为12V,钳位电压为18V(在1A峰值脉冲电流下),确保在高能量冲击下仍能维持稳定的电压水平,防止后端IC受损。该器件符合IEC 61000-4-2标准中对ESD抗扰度的要求,适用于工业、消费电子和通信设备中的电路保护。

应用

LDTBG12GPT1G广泛应用于需要静电和浪涌保护的电子设备中。典型应用包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备等消费类电子产品中的USB接口、触摸屏控制器和传感器线路保护。在通信领域,该TVS可用于以太网端口、RS-485接口和无线基站中的射频前端保护。此外,该器件还可用于工业自动化设备、安防监控系统以及汽车电子模块中,保护微控制器、ADC/DAC模块和数据通信接口免受瞬态电压干扰。由于其低电容特性,LDTBG12GPT1G也适用于高速数据传输场景,如HDMI、DisplayPort和CAN总线。

替代型号

LDTBG12GPT1G的替代型号包括SMBJ12A、PESD12LV1BA和TPD4E001B04。这些型号在电压保护等级、响应时间和封装形式上相近,可根据具体应用需求进行选择。其中,SMBJ12A为SMB封装的双向TVS,适用于需要更高浪涌电流承受能力的应用;PESD12LV1BA为SOT-23封装的低电容TVS,适合空间受限的便携设备;TPD4E001B04则为QFN封装的多通道ESD保护器件,适用于多路信号线保护。

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