晶体管类型：NPN BJT
　　集电极-发射极电压（VCEO）：100V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功率耗散（PD）：200mW
　　电流增益（hFE）：110 @ IC=2mA, VCE=5V
　　频率响应（fT）：100MHz
　　封装类型：SOT-323 (SC-70)
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C

LDTB123TWT1G 是一款高性能的NPN晶体管，适用于广泛的通用电子电路应用。
　　该晶体管具备较高的电流增益（hFE），在典型工作条件下可达到110以上，使其非常适合用于信号放大电路。此外，其100MHz的过渡频率（fT）表明其具备良好的高频响应特性，可以在较高频率下保持稳定的放大性能。
　　器件的集电极-发射极电压（VCEO）为100V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压开关应用。集电极电流额定值为100mA，适合低至中功率的开关控制电路。功率耗散为200mW，结合SOT-323小型封装，能够在空间受限的设计中提供可靠的性能。
　　该晶体管采用SOT-323封装，具有良好的热稳定性和机械强度，适合表面贴装工艺（SMT），适用于自动化生产流程。其工作温度范围为-55°C至150°C，满足工业级温度要求，适合在各种环境条件下使用。
　　LDTB123TWT1G还具有良好的可靠性和长期稳定性，适用于消费电子、通信设备、工业控制、汽车电子等多种应用场景。

LDTB123TWT1G 广泛应用于以下领域：
　　1. **通用开关电路**：该晶体管常用于低功率开关控制，如LED驱动、继电器控制、逻辑电平转换等。
　　2. **信号放大电路**：由于其高增益和良好的频率响应，适用于音频放大、射频信号放大等模拟电路。
　　3. **接口电路**：可用于微控制器与外围设备之间的信号接口设计，如驱动MOSFET、光耦等。
　　4. **电源管理**：在DC-DC转换器、负载开关等电源管理电路中作为控制元件使用。
　　5. **消费电子产品**：包括智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等便携式设备中的信号处理和控制电路。
　　6. **工业控制**：在工业自动化系统中用于传感器信号放大、执行器控制等应用。
　　7. **汽车电子**：适用于车载电子系统中的信号处理和开关控制，如仪表盘指示灯控制、传感器信号放大等。

BC847 NPN, 2N3904, MMBT3904, FMMT2907A