类型：NPN双极型晶体管
　　最大集电极-发射极电压（VCEO）：30V
　　最大集电极电流（IC）：100mA
　　最大功耗（PD）：200mW
　　过渡频率（fT）：100MHz
　　电流增益带宽积：100MHz
　　噪声系数（NF）：0.8dB（典型值）
　　封装类型：SOT-23
　　工作温度范围：-55°C至+150°C

LDTB114TKT1G是一款专为高频应用优化的NPN晶体管，其具有低噪声系数和高增益带宽积，非常适合用于射频前端放大器和中频放大电路。该器件采用SOT-23小型表面贴装封装，节省电路板空间并便于自动化装配。其过渡频率（fT）达到100MHz，能够在较高频率下保持良好的增益性能。此外，该晶体管的工作温度范围广泛，支持从-55°C到+150°C的极端环境条件，适用于工业级和通信级应用。LDTB114TKT1G的集电极-发射极电压最大为30V，集电极电流最大为100mA，能够在中等功率水平下工作，同时保持低功耗和高稳定性。
　　LDTB114TKT1G的噪声系数为0.8dB，这使其成为低噪声放大器（LNA）应用的理想选择。在无线通信系统中，如蜂窝基站、卫星通信和接收机前端，低噪声系数能够显著提高系统的信噪比，从而提升整体性能。此外，该晶体管的增益带宽积高，能够在宽频带范围内提供稳定的增益响应，适合用于多频段或宽频应用。
　　该器件采用SOT-23封装，具有优良的热稳定性和机械稳定性，适合在高振动或温度变化较大的环境中使用。其表面贴装封装形式支持回流焊工艺，提高了生产效率和焊接可靠性。

LDTB114TKT1G主要应用于射频和中频放大器电路中，尤其适合于低噪声放大器（LNA）的设计。它广泛用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、Wi-Fi接入点、RFID读写器以及测试测量设备。此外，该晶体管也可用于工业自动化控制、传感器信号调理、无线数据传输系统以及消费类电子产品的高频信号处理部分。在音频放大器和通用放大电路中，LDTB114TKT1G也能提供良好的线性度和低失真性能。

BFQ68、BFQ67、2N3904、2N2222、BFQ19、BFQ23