时间：2025/8/13 19:51:21
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LDTA144TET1G 是一款由 ON Semiconductor 生产的双极性晶体管（BJT），属于 NPN 类型的晶体管。这款晶体管专门设计用于高频率应用，具备优异的性能特性，适用于射频（RF）放大器、振荡器以及其他需要高频响应的电路设计。LDTA144TET1G 采用 SOT-23 封装，体积小巧，便于在现代电子设备中使用。这款晶体管的工作频率范围广泛，能够支持高达 100 MHz 的应用，同时具备良好的增益特性和低噪声性能。
类型：NPN 双极性晶体管
最大集电极电流：100 mA
最大集电极-发射极电压：30 V
最大基极电流：5 mA
最大功耗：300 mW
增益带宽积：100 MHz
直流电流增益（hFE）：110（最小值）
封装类型：SOT-23
LDTA144TET1G 晶体管具备多项优异特性，使其在高频应用中表现出色。首先，它具有较高的增益带宽积，能够支持高达 100 MHz 的工作频率，这使其非常适合射频放大器和振荡器等高频电路。其次，该晶体管的直流电流增益（hFE）最低为 110，在小信号放大应用中提供稳定的增益性能。此外，LDTA144TET1G 的低噪声特性使其在低噪声放大器设计中表现出色，能够有效减少信号传输过程中的噪声干扰。
该晶体管的最大集电极电流为 100 mA，最大集电极-发射极电压为 30 V，确保在多种工作条件下都能稳定运行。SOT-23 小型封装不仅节省空间，还提供了良好的热管理和电气性能。LDTA144TET1G 的最大功耗为 300 mW，能够在有限的功耗范围内提供高效性能。此外，该晶体管的基极电流限制为 5 mA，有助于防止过载并提高整体电路的可靠性。
LDTA144TET1G 主要应用于需要高频性能的电子电路中。常见的应用包括射频（RF）放大器、振荡器、混频器和调制解调器等通信设备。由于其低噪声特性，LDTA144TET1G 也常用于音频前置放大器和低噪声信号处理电路中。此外，该晶体管还可用于数字开关电路、传感器接口电路以及各种便携式电子产品中的信号放大和处理。在无线通信系统中，LDTA144TET1G 的高频响应和稳定增益特性使其成为理想的放大器元件。在工业控制和测量设备中，该晶体管也广泛用于信号调节和放大任务。
2N3904, BC547, BFQ59
