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LDTA124XLT1G 发布时间 时间:2025/8/13 8:16:37 查看 阅读:17

LDTA124XLT1G 是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)制造的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件专为通用放大和开关应用设计,具有良好的高频响应和稳定的电气性能。LDTA124XLT1G 采用SOT-23封装,适合用于便携式电子设备、电源管理系统、音频放大器和数字逻辑电路等应用场景。作为一款高性价比的晶体管,它在工业控制、通信设备和消费类电子产品中得到了广泛应用。

参数

晶体管类型:NPN
  最大集电极电流(Ic):100mA
  最大集电极-发射极电压(Vce):50V
  最大集电极-基极电压(Vcb):50V
  最大功耗(Pd):300mW
  最大工作温度:150°C
  封装类型:SOT-23
  电流增益(hFE):110-800(根据档位不同)
  频率响应(fT):100MHz

特性

LDTA124XLT1G 具备多个显著的电气和物理特性,使其在多种电路设计中表现出色。
  首先,其NPN结构提供了良好的电流放大能力,hFE(电流增益)范围为110至800,具体取决于器件的等级(例如,LDTA124XLT1G提供不同的增益档位),适用于各种放大电路设计。
  其次,该晶体管的最大集电极电流为100mA,集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为50V,具备较高的电压承受能力,适用于中等功率应用。
  此外,LDTA124XLT1G的工作频率可达100MHz,这使其在高频放大和射频电路中也能稳定工作,具有良好的响应特性。
  该晶体管采用SOT-23封装,体积小巧,便于在高密度PCB布局中使用,同时具备良好的热稳定性和机械强度。
  另外,LDTA124XLT1G的功耗为300mW,在正常工作条件下能够保持较低的温升,有助于提高系统的稳定性和可靠性。
  该器件符合RoHS环保标准,适用于无铅焊接工艺,广泛用于消费电子、工业控制和通信设备。

应用

LDTA124XLT1G 适用于多种电子电路设计,尤其适合需要中等功率和高频响应的场景。
  在放大电路中,LDTA124XLT1G 常用于音频放大器、射频放大器和电压放大电路,其高电流增益和良好的频率响应使其在信号放大方面表现出色。
  在开关电路中,该晶体管可用于驱动继电器、LED、小型电机和MOSFET栅极等负载,适用于自动化控制系统、电源管理和嵌入式系统。
  此外,LDTA124XLT1G 在数字逻辑电路中也常用于电平转换和信号缓冲,尤其在低功耗微控制器系统中应用广泛。
  由于其SOT-23封装体积小、易于焊接,因此非常适合便携式设备和高密度PCB设计,如智能手机、平板电脑、穿戴设备和物联网设备。
  在电源管理系统中,该晶体管可作为负载开关或稳压器的一部分,用于电池供电设备中的电压调节和电源控制。
  总体而言,LDTA124XLT1G 是一款通用性强、性能稳定的晶体管,广泛应用于消费电子、工业控制、通信和汽车电子等多个领域。

替代型号

BC847 NPN, 2N3904, PN2222A, MMBT3904, KSP2222A

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