类型：NPN 双极型晶体管
　　封装类型：SOT-23
　　最大集电极电流（Ic）：100 mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：50 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：50 V
　　最大功耗（Pd）：300 mW
　　电流增益（hFE）：110 - 800（根据等级不同）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　基极-发射极电阻：10 kΩ

LDTA124TET1G 具有多个显著特性，使其在通用晶体管应用中表现出色。首先，其内置的基极-发射极电阻（10 kΩ）减少了外部电路设计的复杂性，允许设计者在不使用额外电阻的情况下实现晶体管的偏置控制。这不仅降低了 PCB 的布线复杂度，还减少了元件数量和整体成本。
　　其次，该晶体管的电流增益（hFE）范围广泛，从110到800不等，具体取决于其等级。这种可变增益特性使得 LDTA124TET1G 可以适应不同的放大和开关需求，提供灵活的设计选择。
　　此外，LDTA124TET1G 的最大集电极电流为 100 mA，集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为 50 V，使其适用于中等功率的开关和放大应用。其最大功耗为 300 mW，适合在低功耗环境中使用。
　　该器件的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，存储温度范围也达到 -55°C 至 +150°C，具备良好的热稳定性和环境适应性，适合在工业级和汽车电子等苛刻环境中使用。
　　采用 SOT-23 小型封装，LDTA124TET1G 具有良好的高频响应特性，适合用于射频和高频信号处理的应用场景。

LDTA124TET1G 广泛应用于多个电子领域。在消费类电子产品中，它常用于音频放大器、信号处理电路和开关电路。在工业控制系统中，该晶体管可用于传感器信号放大和继电器驱动电路。此外，它也适用于汽车电子系统，如车身控制模块、照明控制和车载娱乐系统的音频放大部分。
　　由于其内置的基极-发射极电阻，LDTA124TET1G 特别适合用于数字逻辑电路中的开关应用，例如微控制器的 I/O 接口扩展、LED 驱动和小型继电器控制。其高频特性也使其适用于射频信号放大和调制电路，常见于无线通信模块和物联网设备中。
　　在嵌入式系统和便携式设备中，LDTA124TET1G 的小型封装和低功耗特性使其成为理想的晶体管选择，适用于电池供电设备中的电源管理电路和信号放大电路。

BC847 NPN, 2N3904, MMBT3904, 2N2222A