晶体管类型：NPN 预偏置晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：100mA
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：50V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：50V
　　最大功耗（Pd）：300mW
　　电流增益（hFE）：110-800（取决于工作条件）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：SOT-523
　　湿度敏感等级：1
　　安装类型：表面贴装

LDTA123JM3T5G 作为一款预偏置晶体管，其内部集成了基极和发射极之间的电阻器，使得晶体管在开关和放大应用中无需额外的偏置电阻，简化了电路设计。这种集成结构不仅减少了 PCB 的空间占用，还降低了电路的复杂性，提高了设计的灵活性。此外，该晶体管的 hFE 值范围较宽，支持多种工作条件下的增益调节，适应性强。
　　该器件采用了先进的硅外延平面技术，具备优良的热稳定性和高频响应能力，适合在高频开关和模拟放大电路中使用。其 SOT-523 封装具有优异的机械强度和耐热性能，适用于自动化贴片生产流程。LDTA123JM3T5G 的工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，符合工业级温度要求，能够在严苛环境下稳定运行。
　　从电气特性来看，该晶体管的最大集电极电流为 100mA，集电极-发射极电压和集电极-基极电压均为 50V，具备较高的电压承受能力。最大功耗为 300mW，能够在较小的封装中实现高效的功率处理能力。这些参数使得 LDTA123JM3T5G 在低功耗、高稳定性的应用场景中表现出色。

LDTA123JM3T5G 广泛应用于多种电子设备和系统中，尤其是在需要简化偏置电路设计的场合。例如，在便携式电子产品中，该晶体管可用于电源管理电路中的开关控制，提高能效并减少外围元件数量。在通信设备中，该器件可用于射频信号放大和调制电路，提供稳定的增益和低噪声性能。
　　由于其预偏置特性，LDTA123JM3T5G 也常用于数字电路中的逻辑开关和缓冲电路，能够有效提高信号传输的稳定性和响应速度。在工业控制系统中，该晶体管可用于传感器信号调理、继电器驱动以及电机控制等应用，满足不同工况下的需求。
　　此外，LDTA123JM3T5G 还适用于汽车电子系统，如车载娱乐系统、车身控制模块和车载充电器等，其宽温度范围和高可靠性能够适应汽车环境中的复杂工况。

LDTA123T, LDTA123JLT1G, LDTA123J