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LDTA123EWT1G 发布时间 时间:2025/8/13 14:46:50 查看 阅读:16

LDTA123EWT1G是一款由ON Semiconductor(安森美半导体)生产的双极型晶体管(BJT),属于NPN型晶体管。该器件适用于广泛的应用,包括开关电路、放大电路和逻辑电路。LDTA123EWT1G的主要特点是其内置一个或多个偏置电阻,这使得该晶体管在电路设计中更加简化,减少了外围元件的数量。这种设计尤其适合需要节省PCB空间和降低生产成本的应用场景。

参数

晶体管类型:NPN
  集电极-发射极电压(Vce):50V
  集电极电流(Ic):100mA
  功率耗散(Pd):300mW
  电流增益(hFE):110(最小值)至800(最大值),分不同等级
  工作温度范围:-55°C至+150°C
  封装类型:SOT-323(SC-70)
  偏置电阻:内置基极-发射极电阻(R1和R2)

特性

LDTA123EWT1G具有内置偏置电阻的特性,这意味着该晶体管可以自动设置基极偏置电压,从而简化了电路设计并减少了外部元件的数量。这种特性特别适用于需要快速开关和稳定偏置的电路。此外,LDTA123EWT1G的SOT-323封装非常紧凑,适合在空间受限的PCB布局中使用。
  该晶体管的高电流增益(hFE)范围使其能够在不同的电路条件下保持良好的性能,适用于各种放大和开关应用。LDTA123EWT1G的额定电压为50V,最大集电极电流为100mA,使其适用于中等功率的电子设备。此外,其宽工作温度范围(-55°C至+150°C)确保了在极端环境条件下的可靠性。
  内置的偏置电阻不仅减少了外围电路的复杂性,还降低了电路设计中对额外电阻的需求,从而提高了整体电路的稳定性。LDTA123EWT1G的设计还允许其在高频应用中表现出色,适用于需要快速响应和稳定工作的电路。

应用

LDTA123EWT1G广泛应用于便携式电子设备、电源管理电路、LED驱动电路、逻辑电平转换器、信号放大电路、电机控制电路以及各种开关电路中。由于其内置偏置电阻的特性,它特别适用于需要简化设计和节省PCB空间的应用场景。
  在消费电子领域,LDTA123EWT1G常用于智能手机、平板电脑、智能手表等设备的电源控制和信号处理电路。此外,该晶体管也适用于工业自动化设备、汽车电子系统、传感器接口电路和小型家电控制板等应用场景。其高可靠性使其在汽车电子系统中表现优异,例如用于控制灯光、电机、继电器等。
  在放大电路中,LDTA123EWT1G可用于音频放大器、射频放大器和运算放大器的前置级,提供稳定的信号放大能力。在开关电路中,该晶体管可用于控制负载的通断,如LED指示灯、继电器、微型电机等。此外,LDTA123EWT1G还可用于逻辑电平转换器,实现不同电压域之间的信号转换。

替代型号

LDTA123EUTAG, LDTA123EWT1T5G, LDTA123EWT14G, LDTA123EWT1GTR

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