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LDTA123EM3T5G 发布时间 时间:2025/8/13 14:37:44 查看 阅读:23

LDTA123EM3T5G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 NPN 型双极性晶体管(BJT),采用 SOT-23 封装,适用于通用放大和开关应用。该器件具有良好的热稳定性和快速开关特性,适合用于便携式设备、电源管理和信号处理电路。

参数

类型:NPN 双极性晶体管
  集电极-发射极电压(VCEO):100V
  集电极电流(IC):100mA
  功率耗散:300mW
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:SOT-23
  增益带宽积:100MHz
  直流电流增益(hFE):110(最小)至 800(最大),根据工作电流不同而变化

特性

LDTA123EM3T5G 拥有出色的高频性能,能够在高达 100 MHz 的频率下工作,适合用于射频放大和高速开关电路。
  其 SOT-23 小型封装设计使其适用于空间受限的高密度 PCB 设计,如移动设备和消费类电子产品。
  该晶体管具有良好的热稳定性,能够在较宽的温度范围内可靠工作,从 -55°C 到 +150°C,适用于工业和汽车应用。
  此外,LDTA123EM3T5G 提供较高的电流增益(hFE),在不同工作电流下可提供 110 到 800 的增益值,适应多种放大需求。
  该器件的低饱和电压(VCE(sat))确保在开关状态下功耗较低,提高了能效。
  其封装材料符合 RoHS 标准,适用于无铅焊接工艺。

应用

LDTA123EM3T5G 常用于各类电子电路中,包括射频放大器、音频前置放大器、电压调节器和逻辑电平转换电路。
  在便携式电子产品中,它可作为开关元件用于 LED 驱动、传感器信号调理和电池管理电路。
  在工业控制领域,该晶体管可用于继电器驱动、电机控制和数据采集系统的信号放大。
  由于其良好的高频响应,LDTA123EM3T5G 也广泛应用于无线通信设备中的射频信号放大和调制电路。
  此外,该器件适用于低功率 DC-DC 转换器和负载开关应用,提供高效的电流控制。

替代型号

MMBT3904LT1G, BC847B, 2N3904, 2N2222A

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