晶体管类型：NPN
　　集电极-发射极电压（VCEO）：50V
　　集电极电流（IC）：100mA
　　功耗（PD）：300mW
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　增益带宽积（fT）：250MHz
　　直流电流增益（hFE）：110至800（根据档位不同）
　　封装类型：SOT-23

LDTA115TM3T5G晶体管具备优异的电气性能和稳定的运行特性，适合多种通用应用。
　　首先，该晶体管的hFE值范围较宽（110至800），分为多个档位，便于用户根据具体需求选择合适的增益特性，这使得它在放大电路中表现出色，能够有效增强信号强度。
　　其次，LDTA115TM3T5G的工作频率高达250MHz，使其在高频应用中也能保持良好的性能，适合用于射频（RF）信号处理和高速开关电路。
　　再者，该晶体管的封装为SOT-23，体积小巧，适合高密度PCB布局，并且支持表面贴装工艺，简化了生产流程，提高了制造效率。
　　此外，该晶体管的功耗较低（最大300mW），能够在多种电源条件下稳定运行，同时具备良好的热稳定性，适用于宽温度范围（-55°C至150°C）的工业环境。
　　最后，LDTA115TM3T5G具有较高的集电极-发射极击穿电压（50V），能够在较高电压环境下可靠工作，提升了其在各种电路设计中的适用性。

LDTA115TM3T5G晶体管广泛应用于多个电子领域，包括通用放大器、开关电路、逻辑电平转换、信号处理、音频放大、传感器接口、射频（RF）电路以及嵌入式控制系统等。
　　在放大电路中，LDTA115TM3T5G可用于音频信号放大或传感器信号调理，提供稳定的增益性能。
　　在数字电路中，该晶体管常用于晶体管-晶体管逻辑（TTL）电路中的开关元件，或作为缓冲器、电平转换器使用。
　　此外，由于其高频特性，该晶体管也可用于射频前端电路、无线通信模块和小型射频放大器。
　　在工业控制和自动化系统中，LDTA115TM3T5G可用于驱动继电器、LED显示屏或小型电机等负载。
　　消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能穿戴设备等也常使用该晶体管进行信号处理或电源管理功能。

BC847系列, 2N3904, MMBT3904, PN2222A