时间：2025/8/13 7:20:15
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LDTA115ELT1G是一款由ON Semiconductor生产的NPN型双极结型晶体管（BJT），主要用于通用开关和放大应用。该晶体管采用SOT-23封装，具有小型化和轻量化的优点，适合用于高密度电路设计。
类型：NPN型晶体管
集电极-发射极电压（VCEO）：50V
集电极电流（IC）：100mA
功率耗散（PD）：300mW
工作温度范围：-55°C至150°C
封装类型：SOT-23
LDTA115ELT1G晶体管具有优良的开关性能和线性放大特性，适合高频应用。其SOT-23封装形式不仅节省空间，还便于自动化组装。此外，该晶体管的可靠性高，适用于各种电子设备中，例如通信设备、工业控制系统和消费类电子产品。
在电气特性方面，该晶体管的最大集电极电流为100mA，能够承受高达50V的集电极-发射极电压。这使其在多种低功率应用中具有良好的性能表现。同时，晶体管的增益带宽积（fT）较高，确保其在高频放大电路中具有优异的表现。
LDTA115ELT1G的热阻较低，有助于在高电流条件下维持稳定的性能，减少热失效的风险。其封装材料符合RoHS环保标准，支持无铅焊接工艺，符合现代电子制造的环保要求。
LDTA115ELT1G晶体管广泛应用于通用开关电路、信号放大器、逻辑电路以及电源管理模块。它还常用于音频放大器前级、数字逻辑电路的驱动部分以及低噪声放大电路。由于其高频特性，该晶体管也适合用于射频（RF）前端模块的放大和开关控制。
在消费电子产品中，LDTA115ELT1G常用于手机、平板电脑和便携式音频设备中的电源控制和信号处理电路。此外，它也适用于工业自动化设备中的传感器接口电路和继电器驱动电路。
BC847BLT1G, 2N3904, PN2222A
