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LDTA114TET1G 发布时间 时间:2025/8/13 14:46:02 查看 阅读:27

LDTA114TET1G 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 NPN 型晶体管,专为数字逻辑应用而设计。该晶体管集成了基极和发射极之间的两个电阻,使其在逻辑电路和开关应用中能够直接使用,而无需外部电阻。这种设计不仅减少了元件数量,还简化了电路设计,提高了整体可靠性。LDTA114TET1G 采用 SOT-23 小型封装,适用于各种便携式设备和空间受限的应用。

参数

类型:NPN 晶体管
  集电极-发射极电压(VCEO):50V
  集电极电流(IC):100mA
  功率耗散(PD):200mW
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  存储温度范围:-65°C 至 +150°C
  基极-发射极电压(VBE):最大 6V
  集电极-基极电压(VCB):50V
  电流增益(hFE):110-800(取决于测试条件)
  频率响应(fT):100MHz

特性

LDTA114TET1G 晶体管的一个主要特点是其集成的基极-发射极电阻,通常为 10kΩ 和 10kΩ。这种设计使得晶体管可以直接用于逻辑电路中,作为电平转换器或开关使用,而无需额外的偏置电路。
  该晶体管具有较高的电流增益(hFE),范围从 110 到 800,具体数值取决于工作电流和电压条件。这使得它适用于多种放大和开关应用。
  LDTA114TET1G 的 SOT-23 封装非常小巧,适合高密度 PCB 设计,并且具有良好的热性能,能够在较高温度下稳定工作。  由于其高可靠性和广泛的工作温度范围(-55°C 至 +150°C),LDTA114TET1G 可用于工业级和汽车电子应用。

应用

LDTA114TET1G 晶体管广泛应用于数字逻辑电路、电平转换、开关电路、继电器驱动、LED 驱动以及各种嵌入式系统中。由于其集成的基极电阻,它特别适合用于微控制器输出端的缓冲器或驱动器,能够将低电平逻辑信号转换为更高电压或电流的输出,以驱动负载如继电器、小型电机或 LED 显示屏。
  在汽车电子领域,LDTA114TET1G 可用于车身控制模块、灯光控制系统、仪表盘显示驱动等场景。其高可靠性和宽工作温度范围使其能够在严苛的汽车环境中稳定工作。
  在消费类电子产品中,如智能手机、平板电脑和便携式音频设备中,该晶体管可用于电源管理、信号切换和传感器接口电路。SOT-23 小型封装有助于节省 PCB 空间,同时保持良好的电气性能。
  此外,LDTA114TET1G 还可用于工业自动化控制系统、数据通信设备、安防监控系统等领域,作为通用的开关和逻辑转换器件。

替代型号

LDTA114TET1G 的替代型号包括 LDTA114TELT1G、LDTA114TE3T5G、LDTA114TEZ、LDTA114TEH1G 等。这些型号在参数和封装上相似,可根据具体应用需求进行替换。

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