时间：2025/5/10 12:23:16
阅读：8
LDLN025PU28R 是一款基于氮化镓 (GaN) 技术的功率场效应晶体管 (Power FET)，专为高频和高效率应用场景设计。该器件采用了先进的封装工艺，能够实现低开关损耗和高功率密度。其主要应用于开关电源、DC-DC转换器以及电机驱动等领域。
这款芯片具备极低的导通电阻和快速的开关特性，有助于提升整体系统的能效表现。同时，其高击穿电压能力也使其能够在严苛的工作条件下稳定运行。
最大漏源电压：250V
连续漏极电流：12A
导通电阻：28mΩ
栅极电荷：65nC
开关频率：高达5MHz
工作温度范围：-40℃至+150℃
封装形式：TO-247-3L
LDLN025PU28R 的主要特点包括：
1. 超低导通电阻（28mΩ），可显著减少传导损耗。
2. 高开关速度，支持高达5MHz的工作频率，非常适合高频应用。
3. 内置过流保护和热关断功能，确保系统可靠性。
4. 出色的热性能，允许在高结温下操作。
5. 符合RoHS标准，环保且满足现代工业要求。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)，例如AC-DC适配器和充电器。
2. DC-DC转换器，如电信设备中的中间总线转换器。
3. 电机驱动与控制，特别适用于高效无刷直流电机(BLDC)驱动。
4. 新能源领域，如太阳能微型逆变器和电动车车载充电器(OBC)。
5. 快速充电技术相关产品，提供更高的充电效率。
LDLN025PU25R
LDLN025PU30R
