时间：2025/4/28 9:55:06
阅读：2
LDK130M33R是一款基于氮化镓（GaN）技术的高效率、高频功率开关器件，专为要求高性能和小尺寸设计的电源应用而优化。该器件采用增强型横向场效应晶体管（eGaN FET）技术，具有极低的导通电阻和快速开关性能，适用于DC-DC转换器、AC-DC电源适配器以及无线充电等应用场景。其封装形式通常为小型表面贴装类型，能够显著减少系统体积并提升功率密度。
导通电阻：25 mΩ@Vgs=6V
最大漏源电压：100 V
最大连续漏极电流：33 A
栅极电荷：12 nC
反向恢复时间：典型值 25 ns
工作温度范围：-55 ℃ to +175 ℃
LDK130M33R具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻，能够降低传导损耗，提高整体效率。
2. 快速开关速度，适合高频操作，减少磁性元件的尺寸。
3. 内置保护功能，包括过流保护和短路耐受能力，提升了系统的可靠性。
4. 热稳定性强，能够在高温环境下长时间稳定运行。
5. 小型封装设计，有助于实现紧凑型电源解决方案。
6. GaN材料的使用使器件具备更高的能效与更快的动态响应。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 高效DC-DC转换器模块，例如服务器、通信设备中的电源管理。
2. AC-DC快充适配器，支持USB-PD协议的小型高效充电器。
3. 无线充电发射端及接收端电路。
4. LED驱动电源，提供高频率PWM调光控制。
5. 激光雷达（LiDAR）脉冲驱动电路以及其他需要高速开关的应用场景。
LDK130M28R
LDK130M38R
GAN063-650WSA
