工作电压范围：4.5V ~ 18V
　　启动电流：<10μA
　　静态工作电流：<1.5mA
　　最大驱动能力：2A（峰值源电流）/3A（峰值吸电流）
　　开关频率支持：高达500kHz
　　导通延迟时间：典型值50ns
　　关断延迟时间：典型值30ns
　　工作温度范围：-40°C ~ +125°C
　　封装类型：SOT-23-6, DFN(EP)6

LD8287同步整流控制器采用先进的VDS检测技术，能够精准感知同步整流MOSFET的漏源电压变化，从而实现快速而可靠的导通与关断控制。当反激变换器进入能量释放阶段，变压器副边电压正向偏置，芯片通过检测MOSFET的VDS下降过程判断是否应开启同步整流，一旦VDS低于预设阈值（通常为几十毫伏），控制器立即驱动栅极导通，最大限度地减少导通损耗。而在主开关管导通、副边电压反向时，芯片检测到VDS上升并迅速关断同步MOSFET，防止反向电流流过，避免能量倒灌和效率下降。这种自适应控制机制无需外部时钟信号或复杂补偿电路，简化了系统设计。
　　此外，LD8287具备优异的抗噪声能力，在高频开关环境下仍能保持稳定工作，有效抑制因PCB寄生参数或电磁干扰引起的误触发。芯片内部集成了栅极驱动电路，可直接驱动N沟道MOSFET，驱动能力强，上升和下降时间短，降低开关损耗。同时，内置的死区时间控制逻辑确保上下桥臂不会发生直通现象，进一步提升系统安全性。为了应对轻载或断续导通模式（DCM）下的挑战，LD8287优化了关断响应速度，能够在极短时间内完成关断动作，防止因延迟导致的反向导通。
　　在可靠性方面，LD8287集成了全面的保护机制。例如，当芯片结温过高时，过温保护功能会自动关闭输出，待温度恢复后重新启动；欠压锁定（UVLO）功能则确保芯片在供电电压不足时不工作，避免逻辑紊乱。这些特性使得LD8287在各种工况下均能保持稳定运行，尤其适用于对效率和可靠性要求较高的电源适配器和充电设备。

LD8287广泛应用于各类中小功率AC-DC开关电源中，特别是在采用反激拓扑结构的电源系统中作为同步整流控制器使用。典型应用场景包括手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式电子设备的充电器，这类电源通常要求高效率、小体积和低待机功耗，而LD8287通过提升整流效率、降低发热，有助于满足六级能效标准（如DoE Level VI、EU CoC Tier 2）的要求。此外，它也适用于电视机、机顶盒、路由器、智能家居控制模块等家用电器的内置电源模块，帮助厂商在不增加成本的前提下提升整体电源效率。
　　在LED照明电源领域，尤其是隔离式LED驱动电源中，LD8287可用于提高次级侧整流效率，降低系统温升，延长灯具寿命。对于USB PD快充或多口充电站等新兴应用，LD8287凭借其高集成度和稳定性，常被用于多路输出电源的副边同步整流控制，配合主控PWM芯片实现高效能量转换。工业类小功率电源、辅助电源（如Bias Rail）以及电池充电管理系统中也可看到其身影。由于其支持高达500kHz的开关频率，特别适合高频高效电源设计，有利于减小变压器和滤波元件的体积，实现小型化电源产品。总之，凡是以反激拓扑为基础且追求高效率、低成本解决方案的场合，LD8287都是一个极具竞争力的选择。

SY5028A,SCT2020A,MP6908A